Modulo IGBT SKM50GAL12T4 (50A 1200V) Sostituzione Semikron

Numero di parte Semikron SKM50GAL12T4
Corrente nominale del collettore, ICnom 50А
Tensione collettore-emettitore, VCES 1200V
Pacchetto, Dimensioni L×B×H Package 2
94x34x30
Scheda tecnica Scheda tecnica
Sostituzione AS ENERGITM AMM50GAL12T4
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Modulo IGBT AMM50GAL12T4 AS ENERGITM è un sostituto, analogo, alternativo ed equivalente per il modulo IGBT SKM50GAL12T4 SEMIKRON (pacchetto SEMITRANS). Corrente nominale di collettore ICnom50 ampere, corrente di collettore continua IC81 ampere, tensione collettore-emettitore VCES1200V. Interruttori -Interruttore singolo.

I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti.

I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono utilizzati come elementi di commutazione per i convertitori di potenza di azionamenti a velocità variabile per motori, azionamenti con inverter in c.a., UPS, saldatrici elettroniche, chopper per freni, gruppi di continuità e altro. Le topologie disponibili comprendono half bridge, single switch, sixpack, 3-level e molte altre, che coprono ogni campo di applicazione.

Il modulo di potenza IGBT sta diventando il dispositivo preferito per le applicazioni ad alta potenza grazie alla sua capacità di migliorare le prestazioni di commutazione, temperatura, peso e costo.

Di seguito sono elencate le specifiche tecniche dei moduli IGBT SKM50GAL12T4 e AMM50GAL12T4, la scheda tecnica in formato pdf, la topologia dei collegamenti interni, il disegno di massima e le dimensioni.

La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli IGBT di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli IGBT, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.

Per saperne di più

Il prezzo finale dei moduli IGBT dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.

Specifiche generali del Modulo IGBT SKM50GAL12T4 Semikron e Sostituzione:

Specifiche del modulo IGBT SKM50GAL12T4
IGBT
Corrente nominale del collettore ICnom 50 A
Corrente continua di collettore (temperatura di esercizio) IC 81 A (25ºC)
Tensione collettore-emettitore VCES 1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore (Tj = 25ºC typ.) VCE(sat) 1.85 V
Dissipazione di energia durante l'accensione Eon 5.5 mJ
Dissipazione di energia durante lo spegnimento Eoff 4.5 mJ
Diodo
Corrente continua in avanti DC (temperatura di esercizio) IF 65 A (25ºC)
Tensione in avanti (Tj = 25ºC typ.) VF 2.22 V
Dissipazione di energia durante il recupero inverso (diodo) Err 3.6 mJ
Modulo
Topologia del circuito - circuito
Interruttori - Interruttore singolo
Peso W 0.16 kg
Disegno, Pacchetto, Dimensioni, mm L×B×H Package 2
94x34x30
Sostituzione AS ENERGITM tipo AMM50GAL12T4
Scheda tecnica PDF Scheda tecnica

Guida alla numerazione seriale (tipo) per i Moduli IGBT:

A M M 50 GAL 12 T4
A brand AS ENERGITM
M Gruppo di prodotti: Modulo.
M Tipo di semiconduttore: Modulo IGBT.
50 Corrente nominale del collettore ICnom, Amp.
GAL Topologia del collegamento interno.
12 Classe di tensione collettore-emettitore VCES / 100.
T4 Caratteristiche, ad es. caratteristica del chip IGBT, numero di riferimento interno.

Dimensioni del Modulo IGBT SKM50GAL12T4 e Sostituzione AMM50GAL12T4:

dimensioni

Pacchetto 2


Schema del circuito del Modulo IGBT SKM50GAL12T4 e Sostituzione AMM50GAL12T4:

Topologia

Topologia GAL


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I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
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