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Pavlo GorkunModulo IGBT SKM200GAR12E4 (200A 1200V) Sostituzione Semikron
| Numero di parte Semikron | SKM200GAR12E4 |
| Corrente nominale del collettore, ICnom | 200А |
| Tensione collettore-emettitore, VCES | 1200V |
| Pacchetto, Dimensioni L×B×H | Package 3 106x62x31 |
| Scheda tecnica |  |
| Sostituzione AS ENERGITM | AMM200GAR12E4 |
| Aggiungi al carrello | on request
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Modulo IGBT AMM200GAR12E4 AS ENERGITM è un sostituto, analogo, alternativo ed equivalente per il modulo IGBT SKM200GAR12E4 SEMIKRON (pacchetto SEMITRANS). Corrente nominale di collettore ICnom – 200 ampere, corrente di collettore continua IC – 313 ampere, tensione collettore-emettitore VCES – 1200V. Interruttori -Interruttore singolo.
I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti.
I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono utilizzati come elementi di commutazione per i convertitori di potenza di azionamenti a velocità variabile per motori, azionamenti con inverter in c.a., UPS, saldatrici elettroniche, chopper per freni, gruppi di continuità e altro. Le topologie disponibili comprendono half bridge, single switch, sixpack, 3-level e molte altre, che coprono ogni campo di applicazione.
Il modulo di potenza IGBT sta diventando il dispositivo preferito per le applicazioni ad alta potenza grazie alla sua capacità di migliorare le prestazioni di commutazione, temperatura, peso e costo.
Di seguito sono elencate le specifiche tecniche dei moduli IGBT SKM200GAR12E4 e AMM200GAR12E4, la scheda tecnica in formato pdf, la topologia dei collegamenti interni, il disegno di massima e le dimensioni.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli IGBT di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli IGBT, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Il prezzo finale dei moduli IGBT dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.
Specifiche generali del Modulo IGBT SKM200GAR12E4 Semikron e Sostituzione:
| Specifiche del modulo IGBT | SKM200GAR12E4 | |
| IGBT | ||
| Corrente nominale del collettore | ICnom | 200 A |
| Corrente continua di collettore (temperatura di esercizio) | IC | 313 A (25ºC) |
| Tensione collettore-emettitore | VCES | 1200 V |
| Tensione di saturazione collettore-emettitore (Tj = 25ºC typ.) | VCE(sat) | 1.80 V |
| Dissipazione di energia durante l'accensione | Eon | 21 mJ |
| Dissipazione di energia durante lo spegnimento | Eoff | 27 mJ |
| Diodo | ||
| Corrente continua in avanti DC (temperatura di esercizio) | IF | 229 A (25ºC) |
| Tensione in avanti (Tj = 25ºC typ.) | VF | 2.20 V |
| Dissipazione di energia durante il recupero inverso (diodo) | Err | 13 mJ |
| Modulo | ||
| Topologia del circuito | - | |
| Interruttori | - | Interruttore singolo |
| Peso | W | 0.325 kg |
| Disegno, Pacchetto, Dimensioni, mm | L×B×H | Package 3 106x62x31 |
| Sostituzione AS ENERGITM | tipo | AMM200GAR12E4 |
| Scheda tecnica | |
|
Guida alla numerazione seriale (tipo) per i Moduli IGBT:
| A | M | M | 200 | GAR | 12 | E4 |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Gruppo di prodotti: Modulo. |
| M | – | Tipo di semiconduttore: Modulo IGBT. |
| 200 | – | Corrente nominale del collettore ICnom, Amp. |
| GAR | – | Topologia del collegamento interno. |
| 12 | – | Classe di tensione collettore-emettitore VCES / 100. |
| E4 | – | Caratteristiche, ad es. caratteristica del chip IGBT, numero di riferimento interno. |
Dimensioni del Modulo IGBT SKM200GAR12E4 e Sostituzione AMM200GAR12E4:
Pacchetto 3
Schema del circuito del Modulo IGBT SKM200GAR12E4 e Sostituzione AMM200GAR12E4:
Topologia GAR
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AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
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I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
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