Modulo IGBT SKM100GAL12T4 (100A 1200V) Sostituzione Semikron

Numero di parte Semikron SKM100GAL12T4
Corrente nominale del collettore, ICnom 100А
Tensione collettore-emettitore, VCES 1200V
Pacchetto, Dimensioni L×B×H Package 2
94x34x30
Scheda tecnica Scheda tecnica
Sostituzione AS ENERGITM AMM100GAL12T4
Aggiungi al carrello on request
+
Добавить

Modulo IGBT AMM100GAL12T4 AS ENERGITM è un sostituto, analogo, alternativo ed equivalente per il modulo IGBT SKM100GAL12T4 SEMIKRON (pacchetto SEMITRANS). Corrente nominale di collettore ICnom100 ampere, corrente di collettore continua IC160 ampere, tensione collettore-emettitore VCES1200V. Interruttori -Interruttore singolo.

I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti.

I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono utilizzati come elementi di commutazione per i convertitori di potenza di azionamenti a velocità variabile per motori, azionamenti con inverter in c.a., UPS, saldatrici elettroniche, chopper per freni, gruppi di continuità e altro. Le topologie disponibili comprendono half bridge, single switch, sixpack, 3-level e molte altre, che coprono ogni campo di applicazione.

Il modulo di potenza IGBT sta diventando il dispositivo preferito per le applicazioni ad alta potenza grazie alla sua capacità di migliorare le prestazioni di commutazione, temperatura, peso e costo.

Di seguito sono elencate le specifiche tecniche dei moduli IGBT SKM100GAL12T4 e AMM100GAL12T4, la scheda tecnica in formato pdf, la topologia dei collegamenti interni, il disegno di massima e le dimensioni.

La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli IGBT di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli IGBT, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.

Per saperne di più

Il prezzo finale dei moduli IGBT dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.

Specifiche generali del Modulo IGBT SKM100GAL12T4 Semikron e Sostituzione:

Specifiche del modulo IGBT SKM100GAL12T4
IGBT
Corrente nominale del collettore ICnom 100 A
Corrente continua di collettore (temperatura di esercizio) IC 160 A (25ºC)
Tensione collettore-emettitore VCES 1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore (Tj = 25ºC typ.) VCE(sat) 1.80 V
Dissipazione di energia durante l'accensione Eon 15 mJ
Dissipazione di energia durante lo spegnimento Eoff 10.2 mJ
Diodo
Corrente continua in avanti DC (temperatura di esercizio) IF 121 A (25ºC)
Tensione in avanti (Tj = 25ºC typ.) VF 2.20 V
Dissipazione di energia durante il recupero inverso (diodo) Err 5.9 mJ
Modulo
Topologia del circuito - circuito
Interruttori - Interruttore singolo
Peso W 0.16 kg
Disegno, Pacchetto, Dimensioni, mm L×B×H Package 2
94x34x30
Sostituzione AS ENERGITM tipo AMM100GAL12T4
Scheda tecnica PDF Scheda tecnica

Guida alla numerazione seriale (tipo) per i Moduli IGBT:

A M M 100 GAL 12 T4
A brand AS ENERGITM
M Gruppo di prodotti: Modulo.
M Tipo di semiconduttore: Modulo IGBT.
100 Corrente nominale del collettore ICnom, Amp.
GAL Topologia del collegamento interno.
12 Classe di tensione collettore-emettitore VCES / 100.
T4 Caratteristiche, ad es. caratteristica del chip IGBT, numero di riferimento interno.

Dimensioni del Modulo IGBT SKM100GAL12T4 e Sostituzione AMM100GAL12T4:

dimensioni

Pacchetto 2


Schema del circuito del Modulo IGBT SKM100GAL12T4 e Sostituzione AMM100GAL12T4:

Topologia

Topologia GAL


Semiconduttori ad alta potenza di AS ENERGI

L'azienda produce un'ampia gamma di semiconduttori di potenza (tiristori, diodi, moduli).
Potete acquistare da noi moduli a tiristori in qualsiasi volume e, ordinando grandi lotti, il prezzo sarà più basso.
Abbiamo guadagnato la fiducia dei clienti e forniamo prodotti in tutto il mondo.

Per domande relative all'acquisizione di SCR Moduli di potenza, Tiristori, Diodi,
inviare una richiesta via e-mail a:

[email protected]

E noi vi forniamo un offerta commerciale per la consegna.
Per un gran numero, forniremo un prezzo individuale!!!

Siamo aperti a fabbricare prodotti presso i nostri impianti di produzione
in base alle vostre richieste e compiti tecnici.


icon Perché scegliere AS ENERGITM

  • Impianti di produzione propri, compresa la produzione di chip di silicio per semiconduttori
  • Marchio Europeo - 100% di qualità, prezzo favorevole, termini di produzione brevi
  • Oltre 20 anni di esperienza nel settore dei semiconduttori
  • Clienti di oltre 50 paesi si affidano a noi
  • 20000 articoli nella linea di prodotti per correnti da 10A a 15000A, tensioni da 100V a 9000V
  • Produciamo analoghi di prodotti di altri produttori
  • Qualità certificata garantita, periodo di garanzia di funzionamento - 2 anni

 

Garanzia di qualità

I nostri prodotti sono certificati e corrispondono agli standard internazionali.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i prodotti di 2 anni.
Forniamo certificati di conformità, rapporti di affidabilità, schede tecniche e passaporti tecnici su richiesta del cliente.

Certificates

Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.

Test Report

Geografia della partnership

L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.

Geography

Logistica e consegna

Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
I prodotti possono essere consegnati con qualsiasi mezzo di trasporto: aereo, marittimo, ferroviario e stradale.

Logistics

AS ENERGITM Produzione di semiconduttori

La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.

I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.


Prodotti in evidenza:

 

Tags: Scheda tecnica SKM100GAL12T4, SKM100GAL12T4 pdf, sostituzione SKM100GAL12T4, modulo IGBT AMM100GAL12T4, modulo igbt 100A 1200V, catalogo, specifiche, componenti alternativi del modulo igbt, produttore di fabbrica del modulo igbt di potenza, raddrizzatore, listino prezzi del modulo igbt, ordine, raddrizzatore controllato al silicio

 

Selected Products:

^