Modulo IGBT SKM200MLI066TAT (200A 600V) Sostituzione Semikron

Numero di parte Semikron SKM200MLI066TAT
Corrente nominale del collettore, ICnom 200А
Tensione collettore-emettitore, VCES 600V
Pacchetto, Dimensioni L×B×H Package 5
106x62x31
Scheda tecnica Scheda tecnica
Sostituzione AS ENERGITM AMM200MLI066TAT
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Modulo IGBT AMM200MLI066TAT AS ENERGITM è un sostituto, analogo, alternativo ed equivalente per il modulo IGBT SKM200MLI066TAT SEMIKRON (pacchetto SEMITRANS). Corrente nominale di collettore ICnom200 ampere, corrente di collettore continua IC280 ampere, tensione collettore-emettitore VCES600V. Interruttori -3-level.

I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti.

I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono utilizzati come elementi di commutazione per i convertitori di potenza di azionamenti a velocità variabile per motori, azionamenti con inverter in c.a., UPS, saldatrici elettroniche, chopper per freni, gruppi di continuità e altro. Le topologie disponibili comprendono half bridge, single switch, sixpack, 3-level e molte altre, che coprono ogni campo di applicazione.

Il modulo di potenza IGBT sta diventando il dispositivo preferito per le applicazioni ad alta potenza grazie alla sua capacità di migliorare le prestazioni di commutazione, temperatura, peso e costo.

Di seguito sono elencate le specifiche tecniche dei moduli IGBT SKM200MLI066TAT e AMM200MLI066TAT, la scheda tecnica in formato pdf, la topologia dei collegamenti interni, il disegno di massima e le dimensioni.

La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli IGBT di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli IGBT, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.

Per saperne di più

Il prezzo finale dei moduli IGBT dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.

Specifiche generali del Modulo IGBT SKM200MLI066TAT Semikron e Sostituzione:

Specifiche del modulo IGBT SKM200MLI066TAT
IGBT
Corrente nominale del collettore ICnom 200 A
Corrente continua di collettore (temperatura di esercizio) IC 280 A (25ºC)
Tensione collettore-emettitore VCES 600 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore (Tj = 25ºC typ.) VCE(sat) 1.45 V
Dissipazione di energia durante l'accensione Eon 2.53 mJ
Dissipazione di energia durante lo spegnimento Eoff 6.82 mJ
Diodo
Corrente continua in avanti DC (temperatura di esercizio) IF 270 A (25ºC)
Tensione in avanti (Tj = 25ºC typ.) VF 1.40 V
Dissipazione di energia durante il recupero inverso (diodo) Err 4 mJ
Modulo
Topologia del circuito - circuito
Interruttori - 3-level
Peso W 0.31 kg
Disegno, Pacchetto, Dimensioni, mm L×B×H Package 5
106x62x31
Sostituzione AS ENERGITM tipo AMM200MLI066TAT
Scheda tecnica PDF Scheda tecnica

Guida alla numerazione seriale (tipo) per i Moduli IGBT:

A M M 200 MLI 06 6TAT
A brand AS ENERGITM
M Gruppo di prodotti: Modulo.
M Tipo di semiconduttore: Modulo IGBT.
200 Corrente nominale del collettore ICnom, Amp.
MLI Topologia del collegamento interno.
06 Classe di tensione collettore-emettitore VCES / 100.
6TAT Caratteristiche, ad es. caratteristica del chip IGBT, numero di riferimento interno.

Dimensioni del Modulo IGBT SKM200MLI066TAT e Sostituzione AMM200MLI066TAT:

dimensioni

Pacchetto 5


Schema del circuito del Modulo IGBT SKM200MLI066TAT e Sostituzione AMM200MLI066TAT:

Topologia

Topologia MLI


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I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.


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