Modulo IGBT SKM195GB126D (150A 1200V) Sostituzione Semikron

Numero di parte Semikron SKM195GB126D
Corrente nominale del collettore, ICnom 150А
Tensione collettore-emettitore, VCES 1200V
Pacchetto, Dimensioni L×B×H Package 2
94x34x30
Scheda tecnica Scheda tecnica
Sostituzione AS ENERGITM AMM195GB126D
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Modulo IGBT AMM195GB126D AS ENERGITM è un sostituto, analogo, alternativo ed equivalente per il modulo IGBT SKM195GB126D SEMIKRON (pacchetto SEMITRANS). Corrente nominale di collettore ICnom150 ampere, corrente di collettore continua IC220 ampere, tensione collettore-emettitore VCES1200V. Interruttori -Mezzo ponte.

I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti.

I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono utilizzati come elementi di commutazione per i convertitori di potenza di azionamenti a velocità variabile per motori, azionamenti con inverter in c.a., UPS, saldatrici elettroniche, chopper per freni, gruppi di continuità e altro. Le topologie disponibili comprendono half bridge, single switch, sixpack, 3-level e molte altre, che coprono ogni campo di applicazione.

Il modulo di potenza IGBT sta diventando il dispositivo preferito per le applicazioni ad alta potenza grazie alla sua capacità di migliorare le prestazioni di commutazione, temperatura, peso e costo.

Di seguito sono elencate le specifiche tecniche dei moduli IGBT SKM195GB126D e AMM195GB126D, la scheda tecnica in formato pdf, la topologia dei collegamenti interni, il disegno di massima e le dimensioni.

La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli IGBT di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli IGBT, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.

Per saperne di più

Il prezzo finale dei moduli IGBT dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.

Specifiche generali del Modulo IGBT SKM195GB126D Semikron e Sostituzione:

Specifiche del modulo IGBT SKM195GB126D
IGBT
Corrente nominale del collettore ICnom 150 A
Corrente continua di collettore (temperatura di esercizio) IC 220 A (25ºC)
Tensione collettore-emettitore VCES 1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore (Tj = 25ºC typ.) VCE(sat) 1.71 V
Dissipazione di energia durante l'accensione Eon 16 mJ
Dissipazione di energia durante lo spegnimento Eoff 24.5 mJ
Diodo
Corrente continua in avanti DC (temperatura di esercizio) IF 143 A (25ºC)
Tensione in avanti (Tj = 25ºC typ.) VF 2.00 V
Dissipazione di energia durante il recupero inverso (diodo) Err 5.8 mJ
Modulo
Topologia del circuito - circuito
Interruttori - Mezzo ponte
Peso W 0.16 kg
Disegno, Pacchetto, Dimensioni, mm L×B×H Package 2
94x34x30
Sostituzione AS ENERGITM tipo AMM195GB126D
Scheda tecnica PDF Scheda tecnica

Guida alla numerazione seriale (tipo) per i Moduli IGBT:

A M M 195 GB 12 6D
A brand AS ENERGITM
M Gruppo di prodotti: Modulo.
M Tipo di semiconduttore: Modulo IGBT.
195 Corrente nominale del collettore ICnom, Amp.
GB Topologia del collegamento interno.
12 Classe di tensione collettore-emettitore VCES / 100.
6D Caratteristiche, ad es. caratteristica del chip IGBT, numero di riferimento interno.

Dimensioni del Modulo IGBT SKM195GB126D e Sostituzione AMM195GB126D:

dimensioni

Pacchetto 2


Schema del circuito del Modulo IGBT SKM195GB126D e Sostituzione AMM195GB126D:

Topologia

Topologia GB


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I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.


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