Modulo IGBT SKM1400GB12P4 (1400A 1200V) Sostituzione Semikron

Numero di parte Semikron SKM1400GB12P4
Corrente nominale del collettore, ICnom 1400А
Tensione collettore-emettitore, VCES 1200V
Pacchetto, Dimensioni L×B×H Package 10
250x90x38
Scheda tecnica Scheda tecnica
Sostituzione AS ENERGITM AMM1400GB12P4
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Modulo IGBT AMM1400GB12P4 AS ENERGITM è un sostituto, analogo, alternativo ed equivalente per il modulo IGBT SKM1400GB12P4 SEMIKRON (pacchetto SEMITRANS). Corrente nominale di collettore ICnom1400 ampere, corrente di collettore continua IC2165 ampere, tensione collettore-emettitore VCES1200V. Interruttori -Mezzo ponte.

I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti.

I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono utilizzati come elementi di commutazione per i convertitori di potenza di azionamenti a velocità variabile per motori, azionamenti con inverter in c.a., UPS, saldatrici elettroniche, chopper per freni, gruppi di continuità e altro. Le topologie disponibili comprendono half bridge, single switch, sixpack, 3-level e molte altre, che coprono ogni campo di applicazione.

Il modulo di potenza IGBT sta diventando il dispositivo preferito per le applicazioni ad alta potenza grazie alla sua capacità di migliorare le prestazioni di commutazione, temperatura, peso e costo.

Di seguito sono elencate le specifiche tecniche dei moduli IGBT SKM1400GB12P4 e AMM1400GB12P4, la scheda tecnica in formato pdf, la topologia dei collegamenti interni, il disegno di massima e le dimensioni.

La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli IGBT di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli IGBT, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.

Per saperne di più

Il prezzo finale dei moduli IGBT dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.

Specifiche generali del Modulo IGBT SKM1400GB12P4 Semikron e Sostituzione:

Specifiche del modulo IGBT SKM1400GB12P4
IGBT
Corrente nominale del collettore ICnom 1400 A
Corrente continua di collettore (temperatura di esercizio) IC 2165 A (25ºC)
Tensione collettore-emettitore VCES 1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore (Tj = 25ºC typ.) VCE(sat) 1.75 V
Dissipazione di energia durante l'accensione Eon 150 mJ
Dissipazione di energia durante lo spegnimento Eoff 277 mJ
Diodo
Corrente continua in avanti DC (temperatura di esercizio) IF 1768 A (25ºC)
Tensione in avanti (Tj = 25ºC typ.) VF 2.06 V
Dissipazione di energia durante il recupero inverso (diodo) Err 85 mJ
Modulo
Topologia del circuito - circuito
Interruttori - Mezzo ponte
Peso W 1.25 kg
Disegno, Pacchetto, Dimensioni, mm L×B×H Package 10
250x90x38
Sostituzione AS ENERGITM tipo AMM1400GB12P4
Scheda tecnica PDF Scheda tecnica

Guida alla numerazione seriale (tipo) per i Moduli IGBT:

A M M 1400 GB 12 P4
A brand AS ENERGITM
M Gruppo di prodotti: Modulo.
M Tipo di semiconduttore: Modulo IGBT.
1400 Corrente nominale del collettore ICnom, Amp.
GB Topologia del collegamento interno.
12 Classe di tensione collettore-emettitore VCES / 100.
P4 Caratteristiche, ad es. caratteristica del chip IGBT, numero di riferimento interno.

Dimensioni del Modulo IGBT SKM1400GB12P4 e Sostituzione AMM1400GB12P4:

dimensioni

Pacchetto 10


Schema del circuito del Modulo IGBT SKM1400GB12P4 e Sostituzione AMM1400GB12P4:

Topologia

Topologia GB


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I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.


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