Tiristore a Commutazione Veloce 250 A, TFI833-250 (3000V)

Corrente media di andata, ITAV 250A
Tensione, VDRM/VRRM 3000V
Codice di tensione, VRRM / 100 30
TFI833-250 on request
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Pacchetto
Dimensioni ØD×Ød×H
PT32
54x32x20 mm
Peso 180 g
Scheda tecnica Scheda tecnica

Tiristore a Commutazione Veloce TFI833-250 AS ENERGITM è un dispositivo a semiconduttore a commutazione rapida (a impulsi) di tipo press pack. Questo tiristore di potenza a impulsi veloci è stato progettato per la conversione e il controllo di correnti CC e CA fino a 250A con frequenza fino a 10kHz in circuiti con tensioni fino a 3000V (classe di tensione 30). Dimensioni del tiristore ØDxØdxH - 54x32x20 mm (diametro esterno della custodia X diametro della superficie di contatto X altezza della custodia), peso - 180 g.

Tiristori a commutazione veloce sono dispositivi con una ridotta tq, trr, Qrr e con un valore più alto (diT/dt)cr (fino a 2500 A/µs) progettati per funzionare a frequenze più elevate (fino a 10kHz). I tiristori veloci sono caratterizzati da un tempo di spegnimento molto basso che li distingue dai modelli standard. Sono utilizzati nella saldatura, nel riscaldamento e nella fusione a induzione, nei trasporti elettrici, negli azionamenti in c.a., negli UPS e in altri sistemi che richiedono tempi di accensione e spegnimento brevi. I tiristori hanno un alloggiamento sigillato in ceramica, standard del settore, che isola la parte funzionale e l'elemento semiconduttore dagli impatti meccanici e dall'ambiente.

L'anodo e il catodo del tiristore (polarità) sono determinati dal simbolo sulla custodia. I tiristori a commutazione rapida sono contenuti in un involucro a disco pressato (capsula, pastiglia). Questo tiristore veloce può essere un prodotto alternativo, sostitutivo, analogo, equivalente ad altri tipi di tiristori a commutazione rapida 220A, 230A, 240A, 250 amp in confezione a disco.

Per il raffreddamento durante il funzionamento dei tiristori di potenza vengono montati dei raffreddatori (dissipatori di calore). A seconda della quantità di calore generato e delle condizioni di lavoro dei semiconduttori, si può scegliere tra naturale raffreddamento a flusso d'aria o forzato è possibile utilizzare il raffreddamento.

Durante il montaggio, la forza di serraggio necessaria Fm specifici per ogni tipo di caso di tiristore (indicati nella tabella dei parametri) devono essere previsti.

Le specifiche e i parametri, le schede tecniche in PDF, il passaporto tecnico di esempio, le dimensioni, i disegni schematici, i diagrammi dei casi di tiristori, i raffreddatori consigliati sono elencati di seguito.

La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i tiristori veloci di potenza di 2 anni dalla data di acquisto. Per la fornitura di tiristori a impulsi, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.

Valori nominali dei tiristori a commutazione rapida: TFI833-250-30 (250A 3000V),

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Il prezzo finale dei tiristori veloci dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.


Specifiche generali dei tiristori a commutazione veloce TFI833-250:

Specifiche del tiristore a commutazione veloce TFI833-250
Corrente di avanzamento media massima consentita (temperatura di esercizio) IT(AV) (Tcase) 250A (94°C)
430A (55°C)
Picco ripetitivo di tensione fuori stato; picco ripetitivo di tensione inversa VDRM/VRRM 3000 V
Corrente on-state RMS ITRMS 390 A
Corrente di sovracorrente allo stato attivo ITSM 5.7 kA
Fattore di sicurezza I2t 162 kA2·s
Tensione di picco sullo stato, max VTM 3.0 V
Corrente di picco allo stato attivo ITM 785 A
Tensione di soglia allo stato, max VT(TO) 1.70 V
Resistenza di pendenza allo stato, max rT 2.20 mΩ
Tempo di spegnimento, max tq 50-125 µs
Correnti di picco ripetitive fuori stato e correnti inverse di picco ripetitive, max IDRM/IRRM 70 mA
Velocità critica di aumento della tensione fuori stato, min (dVD/dt)cr 1000 V/µs
Tensione diretta di attivazione del gate, max VGT 2.5 V
Corrente continua di attivazione del gate, max IGT 300 mA
Tasso critico di aumento della corrente di on-state (diT/dt)cr 1000 A/µs
Temperatura della giunzione p-n, max Tvj max 125 ºC
Resistenza termica, da giunzione a involucro, max Rth(j-c) 0.040 ºC/W
Forza di serraggio Fm ±10% 10 kN
Peso, circa. W 180 g
Tipo di confezione, dimensioni ØDxØdxH PT32 (T.B3)
54x32x20 mm
Dissipatori consigliati Dissipatori di calore O143, O243, O343, OM103, OM104
Scheda tecnica PDF PDF

Guida alla numerazione seriale (tipo) per i Tiristori a Commutazione Veloce TFI833-250:

TFI 833 250 30 7 5 2
TFI brand AS ENERGITM Tiristore a Commutazione Veloce (Tiristore a Impulso Veloce)
833 Tipo di tiristore (a disco).
250 Corrente media in stato aperto IT(AV), Amp.
30 Classe di tensione VRRM / 100  (Tensione nominale – 3000 V).
7 Parametro del tasso critico di aumento della tensione fuori stato (dVD/dt)cr:
Codifica alfanumerica 0 P3 E3 A3 P2 K2 Е2 A2 T1 P1 M1
Codifica digitale 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Value, V/µs non standardizzato 20 50 100 200 320 500 1000 1600 2000 2500
5 Parametro del tempo di spegnimento tq:
Codifica alfanumerica 0 C3 E3 H3 K3 M3 P3 T3 X3 A4 B4 C4 E4
Codifica digitale 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Value, µs non standardizzato 63 50 40 32 25 20 16 12.5 10 8 6.3 5
2 Parametro del tempo di accensione tgt:
Codifica alfanumerica 0 T3 A4 B4 C4 H4 K4 M4 P4 T4 X4 A5 C5
Codifica digitale 0 1 2 3 4 5 6 7 8
Value, µs non standardizzato 16 10 8 6.3 4 3.2 2.5 2.0 1.6 1.25 1.0 0.63

Polarità (anodo, catodo, gate) e dimensioni del tiristore a commutazione rapida a disco TFI833-250:

Polarità del tiristore Dimensioni

Scheda tecnica del tiristore a commutazione rapida TFI833-250:

PDFScarica la scheda tecnica in pdf dei tiristori TFI833-250


Passaporto tecnico per tiristori (campione):

Per la fornitura di tiristori, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.

  • Technical Passport
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Semiconduttori ad alta potenza AS ENERGITM

La nostra azienda è impegnata nella produzione e nella vendita di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza (moduli a tiristori, moduli, diodi raddrizzatori, diodi di saldatura e di rotore, triac ecc.) con correnti fino a 15000A e tensioni fino a 9000V, nonché dissipatori ad aria e ad acqua. È possibile acquistare semiconduttori in qualsiasi volume e, ordinando grandi lotti, il prezzo sarà più basso.
Abbiamo guadagnato la fiducia dei clienti e forniamo prodotti in tutto il mondo.

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Dissipatori di calore per tiristori a disco a potenza rapida:

I dissipatori di calore (radiatori) sono utilizzati per il raffreddamento su uno o due lati dei dispositivi a semiconduttore di potenza nella progettazione dei dischi..

I dissipatori di calore dei raffreddatori sono realizzati con profili di alluminio per radiatori e non richiedono un ulteriore rivestimento protettivo quando vengono utilizzati in diverse condizioni climatiche.

Per ulteriori informazioni sui dissipatori di calore: "Dissipatori raffreddati ad aria serie O per dispositivi a disco", "Dissipatore ad aria serie SF", "Dissipatore ad acqua serie SS".


Foto del Tiristore a Commutazione Veloce SCR:


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Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.

Test Report

Geografia della partnership

L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.

Geography

Logistica e consegna

Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
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Logistics

AS ENERGITM Produzione di semiconduttori

La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.

I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.


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