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Pavlo GorkunTiristore a Commutazione Veloce 630 A, TFI643-630 (2000–2200V)
| Corrente media di andata, ITAV | 630A |
| Tensione, VDRM/VRRM | 2000–2200V |
| Codice di tensione, VRRM / 100 | 20 – 22 |
| TFI643-630 | on request
+
–
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| Pacchetto Dimensioni ØD×Ød×H |
T.C2 60x38x20 mm |
| Peso | 240 g |
| Scheda tecnica |  |
Tiristore a Commutazione Veloce TFI643-630 AS ENERGITM è un dispositivo a semiconduttore a commutazione rapida (a impulsi) di tipo press pack. Questo tiristore di potenza a impulsi veloci è stato progettato per la conversione e il controllo di correnti CC e CA fino a 630A con frequenza fino a 10kHz in circuiti con tensioni fino a 2000V – 2200V (classe di tensione da 20 a 22). Dimensioni del tiristore ØDxØdxH - 60x38x20 mm (diametro esterno della custodia X diametro della superficie di contatto X altezza della custodia), peso - 240 g.
Tiristori a commutazione veloce sono dispositivi con una ridotta tq, trr, Qrr e con un valore più alto (diT/dt)cr (fino a 2500 A/µs) progettati per funzionare a frequenze più elevate (fino a 10kHz). I tiristori veloci sono caratterizzati da un tempo di spegnimento molto basso che li distingue dai modelli standard. Sono utilizzati nella saldatura, nel riscaldamento e nella fusione a induzione, nei trasporti elettrici, negli azionamenti in c.a., negli UPS e in altri sistemi che richiedono tempi di accensione e spegnimento brevi. I tiristori hanno un alloggiamento sigillato in ceramica, standard del settore, che isola la parte funzionale e l'elemento semiconduttore dagli impatti meccanici e dall'ambiente.
L'anodo e il catodo del tiristore (polarità) sono determinati dal simbolo sulla custodia. I tiristori a commutazione rapida sono contenuti in un involucro a disco pressato (capsula, pastiglia). Questo tiristore veloce può essere un prodotto alternativo, sostitutivo, analogo, equivalente ad altri tipi di tiristori a commutazione rapida 550A, 580A, 590A, 600A, 630 amp in confezione a disco.
Per il raffreddamento durante il funzionamento dei tiristori di potenza vengono montati dei raffreddatori (dissipatori di calore). A seconda della quantità di calore generato e delle condizioni di lavoro dei semiconduttori, si può scegliere tra naturale raffreddamento a flusso d'aria o forzato è possibile utilizzare il raffreddamento.
Durante il montaggio, la forza di serraggio necessaria Fm specifici per ogni tipo di caso di tiristore (indicati nella tabella dei parametri) devono essere previsti.
Le specifiche e i parametri, le schede tecniche in PDF, il passaporto tecnico di esempio, le dimensioni, i disegni schematici, i diagrammi dei casi di tiristori, i raffreddatori consigliati sono elencati di seguito.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i tiristori veloci di potenza di 2 anni dalla data di acquisto. Per la fornitura di tiristori a impulsi, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Valori nominali dei tiristori a commutazione rapida: TFI643-630-20 (630A 2000V), TFI643-630-22 (630A 2200V).
Il prezzo finale dei tiristori veloci dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.
Specifiche generali dei tiristori a commutazione veloce TFI643-630:
| Specifiche del tiristore a commutazione veloce | TFI643-630 | |
| Corrente di avanzamento media massima consentita (temperatura di esercizio) | IT(AV) (Tcase) | 537A (85°C) 630A (75°C) |
| Picco ripetitivo di tensione fuori stato; picco ripetitivo di tensione inversa | VDRM/VRRM | 2000-2200 V |
| Corrente on-state RMS | ITRMS | 989 A |
| Corrente di sovracorrente allo stato attivo | ITSM | 10.5 kA |
| Fattore di sicurezza | I2t | 550 kA2·s |
| Tensione di picco sullo stato, max | VTM | 2.50 V |
| Corrente di picco allo stato attivo | ITM | 1978 A |
| Tensione di soglia allo stato, max | VT(TO) | 1.397 V |
| Resistenza di pendenza allo stato, max | rT | 0.600 mΩ |
| Tempo di spegnimento, max | tq | 32-63 µs |
| Correnti di picco ripetitive fuori stato e correnti inverse di picco ripetitive, max | IDRM/IRRM | 100 mA |
| Velocità critica di aumento della tensione fuori stato, min | (dVD/dt)cr | 200-2500 V/µs |
| Tensione diretta di attivazione del gate, max | VGT | 2.5 V |
| Corrente continua di attivazione del gate, max | IGT | 300 mA |
| Tasso critico di aumento della corrente di on-state | (diT/dt)cr | 2000 A/µs |
| Temperatura della giunzione p-n, max | Tvj max | 125 ºC |
| Resistenza termica, da giunzione a involucro, max | Rth(j-c) | 0.034 ºC/W |
| Forza di serraggio | Fm ±10% | 15 kN |
| Peso, circa. | W | 240 g |
| Tipo di confezione, dimensioni | ØDxØdxH | T.C2 60x38x20 mm |
| Dissipatori consigliati | Dissipatori di calore | O143, O243, O343, OM103, OM104 |
| Scheda tecnica | |
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Guida alla numerazione seriale (tipo) per i Tiristori a Commutazione Veloce TFI643-630:
| TFI | 643 | – | 630 | – | 22 | – | 7 | 5 | 2 |
| TFI | – |  AS ENERGITM Tiristore a Commutazione Veloce (Tiristore a Impulso Veloce) |
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| 643 | – | Tipo di tiristore (a disco). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 630 | – | Corrente media in stato aperto IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 22 | – | Classe di tensione VRRM / 100 (Tensione nominale – 2200 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7 | – | Parametro del tasso critico di aumento della tensione fuori stato (dVD/dt)cr:
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| 5 | – | Parametro del tempo di spegnimento tq:
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| 2 | – | Parametro del tempo di accensione tgt:
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Polarità (anodo, catodo, gate) e dimensioni del tiristore a commutazione rapida a disco TFI643-630:
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Scheda tecnica del tiristore a commutazione rapida TFI643-630:
Scarica la scheda tecnica in pdf dei tiristori TFI643-630
Passaporto tecnico per tiristori (campione):
Per la fornitura di tiristori, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Semiconduttori ad alta potenza AS ENERGITM
La nostra azienda è impegnata nella produzione e nella vendita di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza (moduli a tiristori, moduli, diodi raddrizzatori, diodi di saldatura e di rotore, triac ecc.) con correnti fino a 15000A e tensioni fino a 9000V, nonché dissipatori ad aria e ad acqua. È possibile acquistare semiconduttori in qualsiasi volume e, ordinando grandi lotti, il prezzo sarà più basso.
Abbiamo guadagnato la fiducia dei clienti e forniamo prodotti in tutto il mondo.
Per domande relative all'acquisizione di SCR Moduli di potenza, Tiristori, Diodi,
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Siamo aperti a fabbricare prodotti presso i nostri impianti di produzione
in base alle vostre richieste e compiti tecnici.
Dissipatori di calore per tiristori a disco a potenza rapida:
I dissipatori di calore (radiatori) sono utilizzati per il raffreddamento su uno o due lati dei dispositivi a semiconduttore di potenza nella progettazione dei dischi..
I dissipatori di calore dei raffreddatori sono realizzati con profili di alluminio per radiatori e non richiedono un ulteriore rivestimento protettivo quando vengono utilizzati in diverse condizioni climatiche.
Per ulteriori informazioni sui dissipatori di calore: "Dissipatori raffreddati ad aria serie O per dispositivi a disco", "Dissipatore ad aria serie SF", "Dissipatore ad acqua serie SS".
Foto del Tiristore a Commutazione Veloce SCR:
Perché scegliere AS ENERGITM
- Impianti di produzione propri, compresa la produzione di chip di silicio per semiconduttori
- Marchio Europeo - 100% di qualità, prezzo favorevole, termini di produzione brevi
- Oltre 20 anni di esperienza nel settore dei semiconduttori
- Clienti di oltre 50 paesi si affidano a noi
- 20000 articoli nella linea di prodotti per correnti da 10A a 15000A, tensioni da 100V a 9000V
- Produciamo analoghi di prodotti di altri produttori
- Qualità certificata garantita, periodo di garanzia di funzionamento - 2 anni
Garanzia di qualità
I nostri prodotti sono certificati e corrispondono agli standard internazionali.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i prodotti di 2 anni.
Forniamo certificati di conformità, rapporti di affidabilità, schede tecniche e passaporti tecnici su richiesta del cliente.
Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.
Geografia della partnership
L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.
Logistica e consegna
Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
I prodotti possono essere consegnati con qualsiasi mezzo di trasporto: aereo, marittimo, ferroviario e stradale.
AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.
I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
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