Modulo a Diodo Singolo ND171N16K (170A 1600V) Sostituzione Infineon

Numero di parte Infineon ND171N16K
Corrente media di andata, IF(AV)M 170А
Tensione, VRRM 1600V
Pacchetto DP34
Dimensioni L×B×H 94x34x30
Scheda tecnica
Sostituzione AS ENERGITM AMND171N16K
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Modulo a Diodo Raddrizzatore Singolo AMND171N16K AS ENERGITM è un dispositivo a semiconduttore sostitutivo, analogo, alternativo ed equivalente per il diodo a recupero normale ND171N16K Infineon Technologies. Corrente media di andata IFAV170 ampere, tensione inversa di picco ripetitiva VRRM1600V.

Caratteristiche diodi raddrizzatori standard: ottimizzati per la frequenza di linea; basse perdite di stato; alta tensione inversa e capacità di gestire correnti elevate; alloggiamento in ceramica standard press pack; progettati per applicazioni industriali e di trasmissione di potenza elevate. Le loro applicazioni principali sono i raddrizzatori per i grandi azionamenti a corrente alternata, la fusione dell'alluminio e la raffinazione di altri metalli, nonché l'alimentazione su rotaia. Sono disponibili su ordinazione anche dissipatori di calore ad aria e ad acqua per il raffreddamento dei diodi.

Diodi Raddrizzatori AS ENERGITM hanno le seguenti caratteristiche: alloggiamento standard del settore; basse perdite statiche e dinamiche, elevati valori di VRRM/VRSM, ampia esperienza nell'utilizzo dei dispositivi in vari settori industriali, gamma di tensioni da 100 a 9000 V e amperaggi da 100 a 7500 A, elevata resistenza ai cicli termici ed elettrici.

Le specifiche tecniche e i parametri di ND171N16K e del sostituto AMND171N16K, la scheda tecnica in PDF, il disegno di massima e le dimensioni sono elencati di seguito.

La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli a diodo singolo di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli a diodi, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità0.

Per saperne di più

Il prezzo finale dei moduli a diodo singolo dipende dalla classe, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.

Caratteristiche generali del Modulo a Diodo Raddrizzatore Singolo ND171N16K Infineon e Sostituzione:

Specifiche del Modulo Diodo ND171N16K
Corrente di avanzamento media massima consentita IF(AV)M 170 A
Tensione di blocco inversa di picco massima ripetitiva VRRM 1600 V
Picco di corrente in avanti IFSM 5600 A
Fattore di sicurezza I2t 157 kA2·s
Tensione di soglia VT0 0,75 V
Resistenza alla pendenza in avanti rT 0,8 mΩ
Temperatura della giunzione p-n Tvj max 150 ºC
Resistenza termica, dalla giunzione all'involucro Rth(j-c) 0,26 K/kW
Peso W 310 g
Pacchetto tipo DP34
Dimensioni L×B×H 94x34x30
Sostituzione AS ENERGITM tipo AMND171N16K
Scheda tecnica PDF

Guida alla numerazione seriale (tipo) per il Modulo a Diodo Raddrizzatore Singolo Infineon e Sostituzione:

A M ND 171 N 16 K
A brand AS ENERGITM
M Gruppo di prodotti: Modulo.
ND Configurazione: Diodo singolo.
171 Corrente media di accensione IF(AV), Amp.
N Dispositivo di controllo di fase.
16 Classe di tensione VRRM / 100.
K Costruzione meccanica: tecnologia a contatto di pressione

Dimensioni del modulo diodo raddrizzatore singolo ND171N16K e del ricambio AMND171N16K:

dimensioni

Modulo a Diodo Raddrizzatore Singolo


Schema del circuito del modulo diodo raddrizzatore singolo ND171N16K e del ricambio AMND171N16K:

circuit

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Logistics

AS ENERGITM Produzione di semiconduttori

La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.

I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.


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