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AS ENERGIModulo a Diodo Singolo DZ1070N22K (1100A 2200V) Sostituzione Infineon
Modulo a Diodo Raddrizzatore Singolo AMDZ1070N22K AS ENERGITM è un dispositivo a semiconduttore sostitutivo, analogo, alternativo ed equivalente per il diodo a recupero normale DZ1070N22K Infineon Technologies. Corrente media di andata IFAV – 1100 ampere, tensione inversa di picco ripetitiva VRRM – 2200V.
Caratteristiche diodi raddrizzatori standard: ottimizzati per la frequenza di linea; basse perdite di stato; alta tensione inversa e capacità di gestire correnti elevate; alloggiamento in ceramica standard press pack; progettati per applicazioni industriali e di trasmissione di potenza elevate. Le loro applicazioni principali sono i raddrizzatori per i grandi azionamenti a corrente alternata, la fusione dell'alluminio e la raffinazione di altri metalli, nonché l'alimentazione su rotaia. Sono disponibili su ordinazione anche dissipatori di calore ad aria e ad acqua per il raffreddamento dei diodi.
Diodi Raddrizzatori AS ENERGITM hanno le seguenti caratteristiche: alloggiamento standard del settore; basse perdite statiche e dinamiche, elevati valori di VRRM/VRSM, ampia esperienza nell'utilizzo dei dispositivi in vari settori industriali, gamma di tensioni da 100 a 9000 V e amperaggi da 100 a 7500 A, elevata resistenza ai cicli termici ed elettrici.
Le specifiche tecniche e i parametri di DZ1070N22K e del sostituto AMDZ1070N22K, la scheda tecnica in PDF, il disegno di massima e le dimensioni sono elencati di seguito.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli a diodo singolo di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli a diodi, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità0.
Il prezzo finale dei moduli a diodo singolo dipende dalla classe, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.
Caratteristiche generali del Modulo a Diodo Raddrizzatore Singolo DZ1070N22K Infineon e Sostituzione:
| Specifiche del Modulo Diodo | DZ1070N22K | |
| Corrente di avanzamento media massima consentita | IF(AV)M | 1100 A |
| Tensione di blocco inversa di picco massima ripetitiva | VRRM | 2200 V |
| Picco di corrente in avanti | IFSM | 35000 A |
| Fattore di sicurezza | I2t | 6125 kA2·s |
| Tensione di soglia | VT0 | 0,75 V |
| Resistenza alla pendenza in avanti | rT | 0,073 mΩ |
| Temperatura della giunzione p-n | Tvj max | 150 ºC |
| Resistenza termica, dalla giunzione all'involucro | Rth(j-c) | 0,045 K/kW |
| Peso | W | 1950 g |
| Pacchetto | tipo | DP70A |
| Dimensioni | L×B×H | 104x70x90 |
| Sostituzione AS ENERGITM | tipo | AMDZ1070N22K |
| Scheda tecnica |  |
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Guida alla numerazione seriale (tipo) per il Modulo a Diodo Raddrizzatore Singolo Infineon e Sostituzione:
| A | M | DZ | 1070 | N | 22 | K |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Gruppo di prodotti: Modulo. |
| DZ | – | Configurazione: Diodo singolo. |
| 1070 | – | Corrente media di accensione IF(AV), Amp. |
| N | – | Dispositivo di controllo di fase. |
| 22 | – | Classe di tensione VRRM / 100. |
| K | – | Costruzione meccanica: tecnologia a contatto di pressione |
Dimensioni del modulo diodo raddrizzatore singolo DZ1070N22K e del ricambio AMDZ1070N22K:
Modulo a Diodo Raddrizzatore Singolo
Schema del circuito del modulo diodo raddrizzatore singolo DZ1070N22K e del ricambio AMDZ1070N22K:
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Semiconduttori ad Alta Potenza di AS ENERGITM
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Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.
Geografia della partnership
L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.
Logistica e consegna
Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
I prodotti possono essere consegnati con qualsiasi mezzo di trasporto: aereo, marittimo, ferroviario e stradale.
AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.
I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
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