Modulo IGBT FZ1500R33HE3 (1500A 3300V) Sostituzione Infineon

Numero di parte Infineon	FZ1500R33HE3
Corrente nominale del collettore, I_Cnom	1500A
Tensione collettore-emettitore, V_CES	3300V
Pacchetto Dimensioni L×B×H	IHV B 190x140x38 mm
Scheda tecnica
Sostituzione AS ENERGI^TM	AMFZ1500R33HE3
Aggiungi al carrello	on request + –

IGBT Modulo AMFZ1500R33HE3 AS ENERGI^TM è una sostituzione, un analogo, un'alternativa e un equivalente per il modulo IGBT FZ1500R33HE3 Infineon. Corrente di collettore continua I_C – 1500 ampere, tensione collettore-emettitore V_CES – 3300V.

I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti.

I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono utilizzati come elementi di commutazione per i convertitori di potenza di azionamenti a velocità variabile per motori, azionamenti con inverter in c.a., UPS, saldatrici elettroniche, chopper per freni, gruppi di continuità e altro. Le topologie disponibili comprendono half bridge, single switch, sixpack, 3-level e molte altre, che coprono ogni campo di applicazione.

Il modulo di potenza IGBT sta diventando il dispositivo preferito per le applicazioni ad alta potenza grazie alla sua capacità di migliorare le prestazioni in termini di commutazione, temperatura, peso e costo.

Di seguito sono elencate le specifiche tecniche dei moduli IGBT FZ1500R33HE3 e AMFZ1500R33HE3, la scheda tecnica in formato pdf, la topologia dei collegamenti interni, il disegno di massima e le dimensioni.

La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli IGBT di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli IGBT, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.

Per saperne di più

Il prezzo finale dei moduli IGBT dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.

Specifiche generali del Modulo IGBT FZ1500R33HE3 Infineon e Sostituzione AMFZ1500R33HE3:

Specifiche del modulo IGBT		FZ1500R33HE3
IGBT
Corrente di collettore continua	I_C	1500 A
Tensione collettore-emettitore	V_CES	3300 V
Carico induttivo	R_G	0.47 Ω
Resistenza di gate interna	R_Gint	0.42 Ω
Dissipazione di energia durante l'accensione	E_on	2900 mJ
Dissipazione di energia durante lo spegnimento	E_off	2300 mJ
Diodo
Corrente continua in avanti DC	I_F	1500 A
Tensione in avanti (T_j = 25ºC typ.)	V_F	3.25 V
Resistenza termica, dalla giunzione all'involucro	R_thJC	13.0 K/W
Resistenza termica, dall'involucro al dissipatore	R_thCH	11.0 K/W
Resistenza termica, da giunzione a dissipatore	R_thJH	-
Temperatura in condizioni di commutazione	T_vj	150 °C
Modulo
Topologia del circuito	-
Peso	W	1200 g
Disegno, Pacchetto, Dimensioni, mm	L×B×H	IHV B 190x140x38 mm
Sostituzione AS ENERGI^TM	tipo	AMFZ1500R33HE3
Scheda tecnica	PDF

Guida alla numerazione seriale (tipo) per i IGBT Modulo AMFZ1500R33HE3:

1500

HE3

A	–	AS ENERGI^TM
M	–	Tipo di semiconduttore: Modulo IGBT.
FZ	–	Topologia del modulo.
1500	–	Valutazione attuale, Amp.
R	–	Funzionalità.
33	–	Classe di tensione collettore-emettitore V_CES / 100.
HE3	–	Variazione della costruzione.

Dimensioni del Modulo IGBT FZ1500R33HE3 e Sostituzione AMFZ1500R33HE3:

IHV B

Schema del circuito del Modulo IGBT FZ1500R33HE3 e Sostituzione AMFZ1500R33HE3:

Topologia

Semiconduttori ad Alta Potenza di AS ENERGI^TM

L'azienda produce un'ampia gamma di semiconduttori di potenza (tiristori, diodi, moduli).
Potete acquistare da noi moduli a tiristori in qualsiasi volume e, ordinando grandi lotti, il prezzo sarà più basso.
Abbiamo guadagnato la fiducia dei clienti e forniamo prodotti in tutto il mondo.

Per domande relative all'acquisizione di SCR Moduli di potenza, Tiristori, Diodi,
inviare una richiesta via e-mail a:

[email protected]

E noi vi forniamo un offerta commerciale per la consegna.
Per un gran numero, forniremo un prezzo individuale!!!

Siamo aperti a fabbricare prodotti presso i nostri impianti di produzione
in base alle vostre richieste e compiti tecnici.

Perché scegliere AS ENERGI^TM

Impianti di produzione propri, compresa la produzione di chip di silicio per semiconduttori
Marchio Europeo - 100% di qualità, prezzo favorevole, termini di produzione brevi
Oltre 20 anni di esperienza nel settore dei semiconduttori
Clienti di oltre 50 paesi si affidano a noi
20000 articoli nella linea di prodotti per correnti da 10A a 15000A, tensioni da 100V a 9000V
Produciamo analoghi di prodotti di altri produttori
Qualità certificata garantita, periodo di garanzia di funzionamento - 2 anni

Garanzia di qualità

I nostri prodotti sono certificati e corrispondono agli standard internazionali.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i prodotti di 2 anni.
Forniamo certificati di conformità, rapporti di affidabilità, schede tecniche e passaporti tecnici su richiesta del cliente.

Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.

Geografia della partnership

L'azienda AS ENERGI^TM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.

Logistica e consegna

Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
I prodotti possono essere consegnati con qualsiasi mezzo di trasporto: aereo, marittimo, ferroviario e stradale.

AS ENERGI^TM Produzione di semiconduttori

La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.

I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.

Prodotti in evidenza:

Tags: FZ1500R33HE3 scheda tecnica, FZ1500R33HE3 pdf, FZ1500R33HE3 sostituzione, modulo IGBT AMFZ1500R33HE3, modulo igbt 1500A 3300V, catalogo, specifiche, componenti alternativi del modulo igbt, produttore di fabbrica del modulo igbt di potenza, raddrizzatore, listino prezzi del modulo igbt, ordine, raddrizzatore controllato al silicio