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AS ENERGIModulo IGBT FZ1200R12HE4P (1200A 1200V) Sostituzione Infineon
| Numero di parte Infineon | FZ1200R12HE4P |
| Corrente nominale del collettore, ICnom | 1200A |
| Tensione collettore-emettitore, VCES | 1200V |
| Pacchetto Dimensioni L×B×H |
IHM B 140x130x38 mm |
| Scheda tecnica |  |
| Sostituzione AS ENERGITM | AMFZ1200R12HE4P |
| Aggiungi al carrello | on request
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IGBT Modulo AMFZ1200R12HE4P AS ENERGITM è una sostituzione, un analogo, un'alternativa e un equivalente per il modulo IGBT FZ1200R12HE4P Infineon. Corrente di collettore continua IC – 1200 ampere, tensione collettore-emettitore VCES – 1200V.
I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti.
I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono utilizzati come elementi di commutazione per i convertitori di potenza di azionamenti a velocità variabile per motori, azionamenti con inverter in c.a., UPS, saldatrici elettroniche, chopper per freni, gruppi di continuità e altro. Le topologie disponibili comprendono half bridge, single switch, sixpack, 3-level e molte altre, che coprono ogni campo di applicazione.
Il modulo di potenza IGBT sta diventando il dispositivo preferito per le applicazioni ad alta potenza grazie alla sua capacità di migliorare le prestazioni in termini di commutazione, temperatura, peso e costo.
Di seguito sono elencate le specifiche tecniche dei moduli IGBT FZ1200R12HE4P e AMFZ1200R12HE4P, la scheda tecnica in formato pdf, la topologia dei collegamenti interni, il disegno di massima e le dimensioni.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli IGBT di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli IGBT, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Il prezzo finale dei moduli IGBT dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.
Specifiche generali del Modulo IGBT FZ1200R12HE4P Infineon e Sostituzione AMFZ1200R12HE4P:
| Specifiche del modulo IGBT | FZ1200R12HE4P | |
| IGBT | ||
| Corrente di collettore continua | IC | 1200 A |
| Tensione collettore-emettitore | VCES | 1200 V |
| Carico induttivo | RG | 1.6 Ω |
| Resistenza di gate interna | RGint | 1.6 Ω |
| Dissipazione di energia durante l'accensione | Eon | 175 mJ |
| Dissipazione di energia durante lo spegnimento | Eoff | 195 mJ |
| Diodo | ||
| Corrente continua in avanti DC | IF | 1200 A |
| Tensione in avanti (Tj = 25ºC typ.) | VF | 2.25 V |
| Resistenza termica, dalla giunzione all'involucro | RthJC | - |
| Resistenza termica, dall'involucro al dissipatore | RthCH | - |
| Resistenza termica, da giunzione a dissipatore | RthJH | 41.3 K/W |
| Temperatura in condizioni di commutazione | Tvj | 150 °C |
| Modulo | ||
| Topologia del circuito | - | |
| Peso | W | 1300 g |
| Disegno, Pacchetto, Dimensioni, mm | L×B×H | IHM B 140x130x38 mm |
| Sostituzione AS ENERGITM | tipo | AMFZ1200R12HE4P |
| Scheda tecnica | |
|
Guida alla numerazione seriale (tipo) per i IGBT Modulo AMFZ1200R12HE4P:
| A | M | FZ | 1200 | R | 12 | HE4P |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Tipo di semiconduttore: Modulo IGBT. |
| FZ | – | Topologia del modulo. |
| 1200 | – | Valutazione attuale, Amp. |
| R | – | Funzionalità. |
| 12 | – | Classe di tensione collettore-emettitore VCES / 100. |
| HE4P | – | Variazione della costruzione. |
Dimensioni del Modulo IGBT FZ1200R12HE4P e Sostituzione AMFZ1200R12HE4P:
IHM B
Schema del circuito del Modulo IGBT FZ1200R12HE4P e Sostituzione AMFZ1200R12HE4P:
Topologia
Semiconduttori ad Alta Potenza di AS ENERGITM
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Geografia della partnership
L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.
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AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.
I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
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