Global
(EN)
Ucraina (UA)
Germania (DE)
Italia (IT)
India (EN)
Turchia (TR)
Francia (FR)
Giappone (JP)
Corea del Sud (KR)
AS ENERGITiristore Veloce VS-ST173C12CFP1 Sostituzione Vishay
| Numero di parte Vishay | VS-ST173C12CFP1 |
| Corrente media di accensione, IT(AV)M (TC) | 330A (55ºC) |
| Tensione, VDRM/VRRM | 1200 V |
| Dimensioni ØDxØdxH | 42x19x14 mm |
| Scheda tecnica |  |
| Sostituzione AS ENERGITM | ASTD173C12CFP1 |
| Aggiungi al carrello | on request
+
–
|
Tiristore veloce ASTD173C12CFP1 AS ENERGITM è un dispositivo a semiconduttore in sostituzione, analogico, alternativo ed equivalente per il tiristore di tipo inverter VS-ST173C12CFP1 Vishay Semiconductors.
Corrente media di stato di accensione in avanti ITAV – 330 ampere, picco ripetitivo di tensione di blocco in avanti e all'indietro VDRM/VRRM – 1200V. I tiristori a spegnimento rapido sono progettati per convertire e controllare le correnti CC e CA. "Dissipatori raffreddati ad aria serie O per dispositivi a disco", "Dissipatore ad aria serie SF", "Dissipatore ad acqua serie SS" per il raffreddamento dei tiristori sono disponibili anche su ordinazione.
Tiristori discreti veloci sono dispositivi con valori di tq, trr, Qrr ridotti e con un valore più alto (diT/dt)crit (fino a 2500 A/µs) progettati per funzionare a modalità di frequenza più elevate. I tiristori di tipo inverter sono caratterizzati da un tempo di spegnimento molto basso che li distingue dai modelli standard. Sono utilizzati negli inverter, nei chopper, nel riscaldamento e nella fusione a induzione, nei trasporti elettrici, negli azionamenti CA, negli UPS e in altri sistemi che richiedono tempi di accensione e spegnimento brevi. I tiristori hanno un alloggiamento sigillato in ceramica, standard del settore, che isola la parte funzionale e l'elemento semiconduttore dagli impatti meccanici e dall'ambiente.
Caratteristiche: alloggiamento in ceramica standard press pack; progettato per applicazioni industriali e di trasmissione di energia ad alta potenza; ottimizzato per una bassa caduta di tensione on-state; accoppiato Qrr e VT valori disponibili per collegamenti in serie e/o in parallelo. L'anodo e il catodo del tiristore (polarità) sono determinati dal simbolo sulla cassa.
Tiristori AS ENERGITM hanno le seguenti caratteristiche: basse perdite statiche e dinamiche, alti valori di VDRM/VRRM, ampia esperienza nell'utilizzo dei dispositivi in vari settori industriali, gamma di tensioni da 100 a 9000 V e amperaggi da 100 a 15000 A, elevata resistenza ai cicli termici ed elettrici, raffreddamento naturale o ad aria forzata.
Le specifiche e i parametri, la scheda tecnica in PDF, le dimensioni e i disegni sono elencati di seguito.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i tiristori di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei tiristori, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Il prezzo finale dei tiristori a disco dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal Paese di origine e dalla forma di pagamento.
Specifiche generali dei Tiristori Discreti Veloci Vishay e Sostituzioni:
| Specifiche dei tiristori veloci | VS-ST173C12CFP1 | |
| Corrente di avanzamento media massima consentita (temperatura di esercizio) | IT(AV)M (TC) | 330 A (55ºC) |
| Tensione pulsata ripetitiva di stato chiuso; tensione pulsata ripetitiva di stato invertito | VDRM/VRRM | 1200 V |
| Corrente di sovracorrente allo stato attivo | ITSM | 4680 A |
| Fattore di sicurezza | I2t | 110 kA2·s |
| Tensione di soglia | VT0 | 1.61 V |
| Resistenza alla pendenza in stato di riposo | rT | 0.77 mΩ |
| Tensione di picco allo stato attivo | VTM | 2.07 V |
| Corrente di picco allo stato attivo | ITM | 600 A |
| Corrente on-state RMS | ITRMS | 610 A |
| Tempo di spegnimento, max | tq | 15-30 µs |
| Temperatura della giunzione p-n | Tvj max | 125 ºC |
| Resistenza termica, dalla giunzione all'involucro | Rth(j-c) | 0.016 K/W |
| Forza di serraggio | Fm ± 10 % | 4.9 kN |
| Peso | W | 50 g |
| Pacchetto (alloggiamento) | tipo | A-PUK (TO-200AB) |
| Dimensioni | ØDxØdxH | 42x19x14 mm |
| Sostituzione AS ENERGITM | tipo | ASTD173C12CFP1 |
| Scheda tecnica | |
|
Guida alla numerazione seriale (tipo) per i Tiristori Discreti Veloci:
| AS | TD | 17 | 3 | C | 12 | C | F | P | 1 |
| AS | – |  AS ENERGITM |
||||||||||||||||
| TD | – | Gruppo di prodotti: Tiristore a Disco Discreto. | ||||||||||||||||
| 17 | – | Numero di parte essenziale. | ||||||||||||||||
| 3 | – | Tiristore a spegnimento rapido. | ||||||||||||||||
| C | – | Ceramica PUK. | ||||||||||||||||
| 12 | – | Classe di tensione VRRM / 100. | ||||||||||||||||
| C | – | Tipo di alloggiamento (pacchetto): {getMarkingPackageNames(Package)}. | ||||||||||||||||
| F | – | Parametro del tasso critico di aumento della tensione fuori stato (dVD/dt)crit:
|
||||||||||||||||
| P | – | Parametro del tempo di spegnimento tq:
|
||||||||||||||||
| 1 | – | Terminali fast-on (conduttori del gate e del catodo ausiliario non saldati). |
Polarità (anodo, catodo, gate) dei tiristori a disco di potenza:
|
|
Semiconduttori ad alta potenza AS ENERGITM
La nostra azienda si occupa della produzione e della vendita di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza (tiristori di potenza, moduli, diodi raddrizzatori, diodi a valanga, a rotore e di saldatura, triac ecc.) con correnti fino a 15000A e tensioni fino a 9000V, nonché di dissipatori ad aria e ad acqua.
È possibile acquistare dispositivi a semiconduttore in qualsiasi volume e, ordinando grandi lotti, il prezzo sarà più basso. Abbiamo guadagnato la fiducia dei clienti e forniamo prodotti in tutto il mondo.
Per domande relative all'acquisizione di SCR Moduli di potenza, Tiristori, Diodi,
inviare una richiesta via e-mail a:
E noi vi forniamo un offerta commerciale per la consegna.
Per un gran numero, forniremo un prezzo individuale!!!
Siamo aperti a fabbricare prodotti presso i nostri impianti di produzione
in base alle vostre richieste e compiti tecnici.
Dissipatori di calore per tiristori a disco di potenza:
I dissipatori di calore (radiatori) sono utilizzati per il raffreddamento su uno o due lati dei dispositivi a semiconduttore di potenza nella progettazione dei dischi.
I dissipatori di calore dei raffreddatori sono realizzati con profili di alluminio per radiatori e non richiedono un ulteriore rivestimento protettivo quando vengono utilizzati in diverse condizioni climatiche.
Sono disponibili su ordinazione anche dissipatori ad aria e ad acqua per il raffreddamento dei tiristori.
Per ulteriori informazioni sui dissipatori di calore: "Dissipatori raffreddati ad aria serie O per dispositivi a disco", "Dissipatore ad aria serie SF", "Dissipatore ad acqua serie SS".
Foto del Tiristore a Controllo di Fase SCR:
Perché scegliere AS ENERGITM
- Impianti di produzione propri, compresa la produzione di chip di silicio per semiconduttori
- Marchio Europeo - 100% di qualità, prezzo favorevole, termini di produzione brevi
- Oltre 20 anni di esperienza nel settore dei semiconduttori
- Clienti di oltre 50 paesi si affidano a noi
- 20000 articoli nella linea di prodotti per correnti da 10A a 15000A, tensioni da 100V a 9000V
- Produciamo analoghi di prodotti di altri produttori
- Qualità certificata garantita, periodo di garanzia di funzionamento - 2 anni
Garanzia di qualità
I nostri prodotti sono certificati e corrispondono agli standard internazionali.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i prodotti di 2 anni.
Forniamo certificati di conformità, rapporti di affidabilità, schede tecniche e passaporti tecnici su richiesta del cliente.
Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.
Geografia della partnership
L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.
Logistica e consegna
Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
I prodotti possono essere consegnati con qualsiasi mezzo di trasporto: aereo, marittimo, ferroviario e stradale.
AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.
I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
Prodotti in evidenza:
