Tiristore Veloce 250 amp, TF333-250 (1600 – 2400V)
Corrente media di andata, ITAV | 250A |
Tensione, VDRM/VRRM | 1600–2400V |
Codice di tensione, VRRM / 100 | 16 – 24 |
TF333-250 | on request |
Pacchetto Dimensioni ØD×Ød×H |
T.B3 54x32x20 mm |
Peso | 180 g |
Scheda tecnica |
Tiristori Veloci TF333-250 AS ENERGITM è un dispositivo a semiconduttore a commutazione rapida di tipo press pack. Questo tiristore di potenza veloce è progettato per la conversione e il controllo di correnti DC e AC fino a 250A con frequenza fino a 10kHz in circuiti con tensioni fino a 1600V – 2400V (classe di tensione da 16 a 24). Dimensioni del tiristore ØDxØdxH – 54x32x20 mm (diametro esterno della cassa X diametro della superficie di contatto X altezza della cassa), peso – 180 g.
Tiristori veloci sono dispositivi con una ridotta tq, trr, Qrr e con un valore più alto (diT/dt)cr (fino a 2500 A/µs) progettati per funzionare a frequenze più elevate modalità (up to 10kHz). I tiristori veloci sono caratterizzati da un tempo di spegnimento molto basso che li distingue dai modelli standard. Sono utilizzati nella saldatura, nel riscaldamento e nella fusione a induzione, nei trasporti elettrici, negli azionamenti in c.a., negli UPS e in altri sistemi che richiedono brevi tempi di accensione e spegnimento. I tiristori hanno un alloggiamento sigillato in ceramica, standard del settore, che isola la parte funzionale e l'elemento semiconduttore dagli impatti meccanici e dall'ambiente.
L'anodo e il catodo del tiristore (polarità) sono determinati dal simbolo sulla custodia. I tiristori veloci sono contenuti in un involucro a disco pressato (capsula, pastiglia). Questo tiristore veloce può essere un prodotto alternativo, sostitutivo, analogo, equivalente ad altri tipi di tiristori veloci 220A, 230A, 240A, 250 amp in confezione a disco.
Per il raffreddamento durante il funzionamento dei tiristori di potenza vengono montati dei raffreddatori (dissipatori di calore). A seconda della quantità di calore generato e delle condizioni di lavoro dei semiconduttori, si può scegliere tra naturale raffreddamento a flusso d'aria o forzato è possibile utilizzare il raffreddamento.
Durante il montaggio, la forza di serraggio necessaria Fm specifici per ogni tipo di caso di tiristore (indicati nella tabella dei parametri) devono essere previsti.
Specifiche e parametri, schede tecniche in formato PDF, passaporto tecnico di esempio, dimensioni, disegni schematici, diagrammi dei casi di tiristori, raffreddatori consigliati sono elencati di seguito.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i tiristori veloci di potenza di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei tiristori, se necessario, forniamo il passaporto tecnico, il certificato di conformità e il certificato di sicurezza.
Valutazioni rapide dei tiristori: TF333-250-16 (250A 1600V), TF333-250-18 (250A 1800V), TF333-250-20 (250A 2000V), TF333-250-22 (250A 2200V), TF333-250-24 (250A 2400V).
Il prezzo finale dei tiristori veloci a disco dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.
Specifiche generali dei tiristori veloci TF333-250:
Specifiche dei tiristori veloci | TF333-250 | |
Corrente di avanzamento media massima consentita (temperatura di esercizio) | IT(AV) (Tcase) | 250 A (86°C) 376 A (55°C) |
Picco ripetitivo di tensione fuori stato; picco ripetitivo di tensione inversa | VDRM/VRRM | 1600-2400 V |
Corrente on-state RMS | ITRMS | 393 A |
Corrente di sovracorrente allo stato attivo | ITSM | 5.0 kA |
Fattore di sicurezza | I2t | 120 kA2·s |
Tensione di picco sullo stato, max | VTM | 3.20 V |
Corrente di picco allo stato attivo | ITM | 785 A |
Tensione di soglia allo stato, max | VT(TO) | 1.841 V |
Resistenza di pendenza allo stato, max | rT | 2.043 mΩ |
Tempo di spegnimento, max | tq | 20-40 µs |
Correnti di picco ripetitive fuori stato e correnti inverse di picco ripetitive, max | IDRM/IRRM | 50 mA |
Velocità critica di aumento della tensione fuori stato, min. | (dVD/dt)cr | 200-2500 V/µs |
Tensione diretta di attivazione del gate, max | VGT | 2.5 V |
Corrente continua di attivazione del gate, max | IGT | 300 mA |
Tasso critico di aumento della corrente di on-state | (diT/dt)cr | 1600 A/µs |
Temperatura della giunzione p-n, max | Tvj max | 125 ºC |
Resistenza termica, da giunzione a involucro, max | Rth(j-c) | 0.050 ºC/W |
Forza di serraggio | Fm ±10% | 10 kN |
Peso, circa | W | 180 100 g |
Tipo di confezione, dimensioni | ØDxØdxH | T.B3 54x32x20 mm PT31 47x27x15 mm |
Dissipatori consigliati | Dissipatori | O143, O243, O343, OM103, OM104 |
Scheda tecnica |
Guida alla numerazione seriale (tipo) per Tiristori Veloci TF333-250:
TF | 333 | – | 250 | – | 24 | – | 8 | 8 | 3 |
TF | – | Tiristore Veloce, AS ENERGITM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
333 | – | Tipo di tiristore (a disco). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
250 | – | Corrente media in stato aperto IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
24 | – | Classe di tensione VRRM / 100 (Nominal voltage – 2400 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
8 | – | Parametro del tasso critico di aumento della tensione fuori stato (dVD/dt)cr:
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8 | – | Parametro del tempo di spegnimento tq:
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3 | – | Parametro del tempo di accensione tgt:
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Scheda tecnica del tiristore veloce TF333-250:
Scarica la scheda tecnica in pdf dei tiristori TF333-250
Semiconduttori ad alta potenza AS ENERGITM
La nostra azienda è impegnata nella produzione e nella vendita di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza (moduli a tiristori, moduli, diodi raddrizzatori, diodi di saldatura e di rotore, triac ecc.) con correnti fino a 15000A e tensioni fino a 9000V, nonché dissipatori ad aria e ad acqua. È possibile acquistare semiconduttori in qualsiasi volume e, ordinando grandi lotti, il prezzo sarà più basso.
Abbiamo guadagnato la fiducia dei clienti e forniamo prodotti in tutto il mondo.
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Dissipatori di calore per tiristori a disco a potenza rapida:
I dissipatori di calore (radiatori) sono utilizzati per il raffreddamento su uno o due lati dei dispositivi a semiconduttore di potenza nella progettazione dei dischi.
I dissipatori di calore dei raffreddatori sono realizzati con profili di alluminio per radiatori e non richiedono un ulteriore rivestimento protettivo quando vengono utilizzati in diverse condizioni climatiche.
Per ulteriori informazioni sui dissipatori di calore: "Dissipatori raffreddati ad aria serie O per dispositivi a disco", "Dissipatore ad aria serie SF", "Dissipatore ad acqua serie SS".
Foto del Tiristore Veloce SCR:
Perché scegliere AS ENERGITM
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Garanzia di qualità
I nostri prodotti sono certificati e corrispondono agli standard internazionali.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i prodotti di 2 anni.
Forniamo certificati di conformità, rapporti di affidabilità, schede tecniche e passaporti tecnici su richiesta del cliente.
Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.
Geografia della partnership
L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.
Logistica e consegna
Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
I prodotti possono essere consegnati con qualsiasi mezzo di trasporto: aereo, marittimo, ferroviario e stradale.
AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.
I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
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