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Pavlo GorkunTiristore a Controllo di Fase 3000A, 3200A, tipo T373-3200 (800V - 1000V)
| Corrente media di andata, ITAV | 3200A |
| Tensione, VDRM/VRRM | 800-1000V |
| Codice di tensione, VRRM / 100 | 8 - 10 |
| T373-3200 | on request
+
–
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| Pacchetto Dimensioni ØD×Ød×H |
PT74 112x75x35 mm |
| Peso | 1700 g |
| Scheda tecnica |  |
Tiristore a Controllo di Fase T373-3200 AS ENERGITM è un tiristore a disco di uso generale, noto anche come Raddrizzatore Controllato al Silicio (SCR). Si tratta di un tiristore di potenza progettato per la conversione e il controllo di correnti DC e AC fino a 3200A con frequenza fino a 500Hz in circuiti con tensioni fino a 800V - 1000V (classe di tensione da 800 a 1000). Dimensioni del tiristore ØDxØdxH – 112x75x35 mm (diametro esterno della cassa X diametro della superficie di contatto X altezza della cassa), peso – 1700 g.
Valori nominali dei tiristori: T373-3200-10 (3200A 1000V).
L'anodo e il catodo del tiristore (polarità) sono determinati dal simbolo sulla custodia. I tiristori sono alloggiati in un disco pressato (capsula, pastiglia). Questo tiristore SCR può essere un prodotto alternativo, sostitutivo, analogico, equivalente ad altri tipi di tiristori 2600A, 2700A, 2800A, 2900A, 3000A, 3200 amp in un contenitore a disco.
Per il raffreddamento durante il funzionamento dei tiristori di potenza vengono montati dei raffreddatori (dissipatori di calore). A seconda della quantità di calore generato e delle condizioni di lavoro dei semiconduttori, si può scegliere tra naturale raffreddamento a flusso d'aria o forzato è possibile utilizzare il raffreddamento.
Durante il montaggio, la forza di serraggio necessaria Fm specifici per ogni tipo di caso di tiristore (indicati nella tabella dei parametri) devono essere previsti.
I tiristori SCR a disco sono utilizzati nelle apparecchiature di potenza - unità di potenza e di controllo, regolatori di potenza, convertitori (ad esempio, forni di fusione), controllori in cui è necessaria una commutazione rapida e il controllo delle correnti.
Le specifiche e i parametri, le schede tecniche in PDF, il passaporto tecnico di esempio, le dimensioni, i disegni schematici, i diagrammi dei casi di tiristori, i raffreddatori consigliati sono elencati di seguito.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i tiristori power scr di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei tiristori, se necessario, forniamo il passaporto tecnico, il certificato di conformità e il certificato di sicurezza.
Il prezzo finale dei tiristori a disco per il controllo di fase dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.
Specifiche generali dei tiristori a controllo di fase T373-3200:
| Specifiche del tiristore | T373-3200 | |
| Corrente di avanzamento media massima consentita (temperatura di esercizio) | IT(AV) (Tcase) | 3867 A (85°C) 3200 A (97°C) |
| Picco ripetitivo di tensione fuori stato; picco ripetitivo di tensione inversa | VDRM/VRRM | 800-1000 V |
| Corrente on-state RMS | ITRMS | 5024 A |
| Surge on-state current | ITSM | 62 kA |
| Fattore di sicurezza | I2t | 29200 kA2·s |
| Tensione di picco sullo stato, max | VTM | 1.50 V |
| Corrente di picco allo stato attivo | ITM | 12560 A |
| Tensione di soglia allo stato, max | VT(TO) | 0.92 V |
| Resistenza di pendenza allo stato, max | rT | 0.05 mΩ |
| Tempo di spegnimento, max | tq | 250 µs |
| Correnti di picco ripetitive fuori stato e correnti inverse di picco ripetitive, max | IDRM/IRRM | 200 mA |
| Velocità critica di aumento della tensione fuori stato, min. | (dVD/dt)cr | 500-1600 V/µs |
| Tensione diretta di attivazione del gate, max | VGT | 2.5 V |
| Corrente continua di attivazione del gate, max | IGT | 250 mA |
| Tasso critico di aumento della corrente di on-state | (diT/dt)cr | 630 A/µs |
| Temperatura della giunzione p-n, max | Tvj max | 140 ºC |
| Resistenza termica, da giunzione a involucro, max | Rth(j-c) | 0.01 ºC/W |
| Forza di serraggio | Fm ±10% | 50 kN |
| Peso, circa | W | 1700 g |
| Tipo di Pacchetto, Dimensioni | ØDxØdxH | PT74, 112x75x35 mm |
| Dissipatori consigliati | Dissipatori di calore | O173,O273 |
| Scheda tecnica | |
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Guida alla numerazione seriale (tipo) per i tiristori SCR T373-3200:
| T | 373 | – | 3200 | – | 10 | – | 4 | 2 |
| T | – | Tiristore,  AS ENERGITM |
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| 373 | – | Tipo di tiristore (a disco). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3200 | – | Corrente media in stato aperto IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 10 | – | Classe di tensione VRRM / 100 (Tensione nominale – 1000 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4 | – | Parametro del tasso critico di aumento della tensione fuori stato (dVD/dt)cr:
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| 2 | – | Parametro del tempo di spegnimento tq:
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Tutti i numeri di parte di T373-3200:
| Serie | ITAV, A | VRRM, V |
| T373-3200-8 | 3200A | 800V |
| T373-3200-10 | 3200A | 1000V |
Polarità (anodo, catodo, gate) e dimensioni del tiristore a disco T373-3200:
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Passaporto tecnico per i tiristori a controllo di fase (campione):
Per la fornitura di tiristori, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Semiconduttori ad alta potenza AS ENERGITM
Our company is engaged in the manufacturer and sale of wide range of power semiconductors (power thyristors, modules, rectifier diodes, rotor and welding diodes, triacs etc.) currents up to 15000A and voltages to 9000V, and air and water heatsinks to them. You can buy semiconductors in any volumes, and when ordering large lots, the price will be lower.
We have earned the trust of customers and supply products all over the world.
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Siamo aperti a fabbricare prodotti presso i nostri impianti di produzione
in base alle vostre richieste e compiti tecnici.
Dissipatori di calore per tiristori a disco di potenza:
I dissipatori di calore (radiatori) sono utilizzati per il raffreddamento su uno o due lati dei dispositivi a semiconduttore di potenza nella progettazione dei dischi..
I dissipatori di calore dei raffreddatori sono realizzati con profili di alluminio per radiatori e non richiedono un ulteriore rivestimento protettivo se utilizzati in diverse condizioni climatiche..
Per ulteriori informazioni sui dissipatori di calore: "Dissipatori raffreddati ad aria serie O per dispositivi a disco", "Dissipatore ad aria serie SF", "Dissipatore ad acqua serie SS".
Foto del Tiristore a Controllo di Fase SCR:
Perché scegliere AS ENERGITM
- Impianti di produzione propri, compresa la produzione di chip di silicio per semiconduttori
- Marchio Europeo - 100% di qualità, prezzo favorevole, termini di produzione brevi
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Garanzia di qualità
I nostri prodotti sono certificati e corrispondono agli standard internazionali.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i prodotti di 2 anni.
Forniamo certificati di conformità, rapporti di affidabilità, schede tecniche e passaporti tecnici su richiesta del cliente.
Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.
Geografia della partnership
L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.
Logistica e consegna
Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
I prodotti possono essere consegnati con qualsiasi mezzo di trasporto: aereo, marittimo, ferroviario e stradale.
AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.
I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
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