Modulo a tiristori MT5-1000-12-D

Corrente media di andata, ITAV/IFAV 1000A
Tensione, VRRM/VDRM 1000 – 1200V
Codice di tensione, VRRM / 100 10 – 12
MT5-1000-12-D on request
+
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Peso 4.1 kg
Pacchetto,
Dimensioni LxBxH
D
150x77x84
Scheda tecnica Scheda tecnica

Modulo a tiristori di potenza MT5-1000-12-D AS ENERGITM in una confezione standard internazionale, 1000A 1200V.

Utilizzato per convertire correnti DC e AC fino a 1000 ampere, con una frequenza fino a 500 Hz su circuiti con tensioni fino a 1200 volt (12 classe).

I moduli a tiristori MT5-1000-12-D sono in un pacchetto standard D: dimensioni di base 77x150 mm, altezza dell'alloggiamento - 84 mm, peso - 4.1 kg. Il modulo a due posizioni è una costruzione monolitica di due tiristori a semiconduttore: tipo thyristor-thyristor. Schema di collegamento del modulo MT5-1000-12-D – anodo comune.

Serie (valori nominali) di moduli a tiristori: MT5-1000-10-D, MT5-1000-12-D.

Modules connection diagram MT5-1000-12-D
  • Terminali principali si trovano nella parte superiore della custodia e sono numerati 1, 2, 3;

  • Terminali di controllo sono contrassegnati nel diagramma come G1, G2;

  • Catodi aggiuntivi sono contrassegnati nel diagramma come K1, K2;

L'elevata resistenza ai cicli termici e il funzionamento affidabile dei moduli a tiristori a bassa frequenza MT5-1000-12-D durante la commutazione di correnti elevate sono ottenuti grazie alle loro caratteristiche di progettazione e ai parametri stabili di isolamento galvanico.

I moduli a tiristori MT5-1000-12-D hanno un design a morsetto che consente un facile montaggio e un buon contatto con il raffreddatore per la dissipazione del calore. È possibile montare più moduli su un raffreddatore senza isolamento aggiuntivo, riducendo così in modo significativo le dimensioni complessive del gruppo. Tra il modulo e il dissipatore di calore (dissipatore di calore) si raccomanda di utilizzare un substrato termicamente conduttivo lubrificato con pasta termica.

I moduli a due posizioni hanno schemi di cablaggio diversi (schemi di circuito elettrico): MT3mezzo ponte; MT4circuito a catodo comune; MT5circuito anodico comune.

I nostri moduli sono disponibili in diverse topologie a doppio e singolo dispositivo per quasi tutte le applicazioni di controllo di fase o raddrizzatore.

La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli a tiristori/diodi di 2 anni dalla data di acquisto. Quando forniamo moduli a tiristori/diodi, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.

Per saperne di più

Il prezzo finale dei moduli a tiristori / diodi dipende dalla classe, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.

Caratteristiche generali del modulo a tiristori MT5-1000-12-D:

Specifiche dei moduli a tiristori MT5-1000-12-D
Corrente di avanzamento media massima consentita (temperatura di esercizio) IT(AV) (TC) 1000 A (77ºC)
895 A (85ºC)
Tensione inversa pulsata ripetitiva; tensione pulsata ripetitiva in stato chiuso VRRM/VDRM 1200 V
Corrente di sovracorrente allo stato attivo ITSM 32 kA
Tensione di picco allo stato attivo VTM 1.3 V
Corrente di picco allo stato attivo ITM 3140 A
Tensione di soglia VT(TO) 0.9 V
Resistenza alla pendenza in stato di riposo rT 0.15 mΩ
Tempo di spegnimento tq 200 µs
Temperatura di giunzione Tj max 125 ºC
Temperatura massima di esercizio dell'involucro Tc max 125 ºC
Resistenza termica, dalla giunzione all'involucro Rth(j-c) 0.05 ºC/W
Resistenza all'isolamento elettrico VISOL 3 kV
Design (interruttori) - doppio componente
Tipo (schema elettrico) - thyristor-thyristor
Schema di collegamento - anodo comune
Peso W 4.1 kg
Pacchetto - D
Dimensioni, mm L×B×H 150x77x84 mm
Scheda tecnica PDF PDF

Guida alla numerazione seriale (tipo) per moduli a tiristori MT5-1000-12-D:

MT 5 1000 12 A2 P2 D N
MT Modulo a tiristori, brand AS ENERGITM
5 Schema di collegamento:
3 – mezzo ponte;
4 – circuito a catodo comune;
5 – circuito anodico comune.
1000 Corrente nominale IT(AV), A.
12 Classe di tensione VRRM / 100   (Tensione nominale – 1200 V).
A2 Parametro del tasso critico di aumento della tensione fuori stato (dVD/dt)cr:
Codifica alfanumerica P2 K2 Е2 A2 T1 P1 M1
Codifica digitale 4 5 6 7 8 9
(dVD/dt)cr, V/µs 200 320 500 1000 1600 2000 2500
P2 Parametro del tempo di spegnimento tq:
Alpha-numeric coding 0 B2 C2 E2 H2 K2 М2 P2 T2 X2 A3
Codifica digitale 0 1 2 3 4
tq, µs non standardizzato 800 630 500 400 320 250 200 160 125 100
D Tipo di alloggio.
N Condizioni ambientali: N – Normal.

Dimensioni dei moduli a tiristori di potenza MT5-1000-12-D:

Dimensioni dei moduli a tiristori MT5-1000-12-D

Pacchetto D


Schema di collegamento del modulo a tiristori MT5-1000-12-D:

Schema di collegamento del modulo a tiristori MT5-1000-12-D

1, 2, 3 – terminali principali.
K1, G1, K2, G2 (4, 5, 6, 7) – terminali di controllo.



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Certificates

Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.

Test Report

Geografia della partnership

L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.

Geography

Logistica e consegna

Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
I prodotti possono essere consegnati con qualsiasi mezzo di trasporto: aereo, marittimo, ferroviario e stradale.

Logistics

AS ENERGITM Produzione di semiconduttori

La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.

I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.


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