Modulo Tiristore Singolo TZ425N16KOF (425A 1600V) Sostituzione Infineon
Modulo a Tiristore Singolo AMTZ425N16KOF AS ENERGITM iè un sostituto, analogo, alternativo ed equivalente per il modulo a tiristori TZ425N16KOF Infineon Technologies. Corrente media in avanti ITAV – 425 ampere, tensione inversa di picco ripetitiva VRRM – 1600V.
I moduli a tiristori sono caratterizzati da un'elevata capacità di cicli elettrici e termici, il che significa alta affidabilità e lunga durata in modalità di funzionamento intensivo. I moduli a tiristori sono alloggiati in una custodia standard del settore, che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti.
I moduli a tiristori singoli sono utilizzati in diverse apparecchiature di potenza: unità di potenza e controllo, regolatori di potenza, regolatori CA, controllo di motori CC, soft starter per motori CA, convertitori, controllori di altiforni o processi chimici, apparecchiature di saldatura e come raddrizzatori per convertitori CA.
I nostri moduli sono disponibili in diverse topologie a doppio e singolo dispositivo per quasi tutte le applicazioni di controllo di fase o raddrizzatore.
Le specifiche tecniche e i parametri di TZ425N16KOF e del sostituto AMTZ425N16KOF, la scheda tecnica in PDF, il disegno di massima e le dimensioni sono elencati di seguito.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli a tiristori di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli a tiristori, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Il prezzo finale dei moduli a tiristori dipende dalla classe, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.
Specifiche generali del Modulo a Tiristori Singolo TZ425N16KOF Infineon e Sostituzione:
| Specifiche del modulo a Tiristore Singolo | TZ425N16KOF | |
| Corrente media on-state massima consentita (temperatura di esercizio) | ITAV | 425 A |
| Tensione inversa pulsata ripetitiva; tensione pulsata ripetitiva in stato chiuso | VRRM/VDRM | 1600 V |
| Corrente di sovracorrente allo stato attivo | ITSM | 12500 A |
| Fattore di sicurezza | I2t | 781 kA2·s |
| Tensione di soglia | VT(TO) | 0.90 V |
| Resistenza alla pendenza in stato di riposo | rT | 0.3 mΩ |
| Temperatura di giunzione | Tvj max | 125 ºC |
| Resistenza termica, dalla giunzione all'involucro | Rth(j-c) | 0.078 K/W |
| Design (interruttori) | - | singolo componente |
| Peso | W | 900 g |
| Pacchetto Dimensioni, mm |
L×B×H | TP50.1 101x50x52 |
| Sostituzione AS ENERGITM | tipo | AMTZ425N16KOF |
| Scheda tecnica | ||
Guida alla numerazione seriale (tipo) per il Modulo a Tiristori Singolo TZ425N16KOF Infineon e per le Sostituzioni:
| A | M | TZ | 425 | N | 16 | K | O | F |
| A | – | |
| M | – | Gruppo di prodotti: Modulo. |
| TZ | – | Topologia del circuito: Tiristore singolo. |
| 425 | – | Corrente media di accensione IT(AV), Amp. |
| N | – | Dispositivo di controllo di fase. |
| 16 | – | Classe di tensione VRRM / 100. |
| K | – | Costruzione meccanica: K – tecnologia di contatto a pressione S – tecnologia di saldatura |
| O | – | Tempo di spegnimento tq: non garantito. |
| F | – | Aumento critico della classe dv/dt a riposo: F = 1000 V/μs |
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Geografia della partnership
L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.
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AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.
I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
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