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Pavlo GorkunModulo Diodo Tiristore MCNA75PD2200TB (75A 2200V) Sostituzione IXYS
| IXYS Numero di parte | MCNA75PD2200TB |
| Corrente media di andata, IT(AV) | 75A |
| Tensione, VRRM | 2200V |
| Pacchetto Dimensioni L×B×H |
TO-240AA-1B 92x20x30 mm |
| Scheda tecnica |  |
| Sostituzione AS ENERGITM | AMCNA75PD-2200-TB |
| Aggiungi al carrello | on request
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Modulo Diodo Tiristore AMCNA75PD-2200-TB AS ENERGITM è un ricambio, analogico, alternativo e per il modulo a semiconduttori discreti a diodi a tiristori MCNA75PD2200TB IXYS, noto anche come Littelfuse o Westcode.
Corrente media di andata ITAV – 75 ampere, tensione inversa di picco ripetitiva VRRM – 2200V. I terminali principali (di alimentazione) si trovano sulla parte superiore dell'involucro e sono contrassegnati come 1, 2, 3 (anodo-catodo comune, catodo, anodo).
I moduli a diodi a tiristori sono caratterizzati da un'elevata capacità di cicli elettrici e termici, il che significa alta affidabilità e lunga durata in modalità di funzionamento intensivo, bassa dispersione di corrente e caduta di tensione in avanti. I moduli a diodo a tiristori sono alloggiati in una custodia standard del settore, che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti.
I moduli a doppio diodo a tiristori sono utilizzati in varie apparecchiature di potenza: unità di potenza e di controllo, per configurazioni a ponte monofase e trifase, regolatori di potenza, regolatori CA, controllo di motori CC, soft starter per motori CA, convertitori, controllori di altiforni o processi chimici, apparecchiature di saldatura, per convertitori CA.
I nostri moduli sono disponibili in diverse topologie a dispositivo singolo o doppio per quasi tutte le applicazioni di controllo di fase o raddrizzatore.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli a diodi a tiristori di 2 anni dalla data di acquisto. In caso di fornitura di moduli a diodo a tiristori doppi, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Il prezzo finale dei moduli a diodi a tiristori dipende dalla classe, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.
Specifiche generali del Modulo a Diodi a Tiristori MCNA75PD2200TB IXYS e Sostituzione:
| Specifiche del modulo a tiristori | MCNA75PD2200TB | |
| Corrente di avanzamento media massima consentita (temperatura di esercizio) | ITAV | 75 A |
| Tensione inversa pulsata ripetitiva | VRRM | 2200 V |
| Corrente di sovratensione | ITSM | 1400 A |
| Corrente massima di stato RMS | IT(RMS) | 118 A |
| Fattore di sicurezza | I2t | 9.80 kA2·s |
| Tensione di soglia | VT(TO) | 0.84 V |
| Corrente RMS | IRMS | 200 A |
| Resistenza alla pendenza | rT | 5.0 mΩ |
| Tempo di spegnimento | tq | 500 μs |
| Tensione di attivazione del gate | VGT | 1.4 V |
| Corrente di attivazione del gate | IGT | 95 mA |
| Resistenza termica, dalla giunzione all'involucro | Rth(JC) | 0.38 K/W |
| Resistenza termica da involucro a dissipatore | Rth(CH) | 0.20 K/W |
| Design (interruttori) | - | doppio componente |
| Tipo (schema elettrico) | - | tiristore-diodo |
| Peso | W | 81 g |
| Pacchetto Dimensioni, mm |
L×B×H | TO-240AA-1B 92x20x30 mm |
| Coppia di montaggio | MD | 2.5-4 Nm |
| Sostituzione AS ENERGITM | tipo | AMCNA75PD-2200-TB |
| Scheda tecnica | |
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Guida alla numerazione seriale (tipo) per il Modulo Diodo a Tiristori AMCNA75PD-2200-TB:
| A | M | C | N | A | 75 | PD | – | 2200 | – | TB |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Gruppo di prodotti: Modulo a semiconduttore discreto. |
| C | – | Tiristore. |
| N | – | Tiristore ad alta tensione. |
| A | – | Tensione nominale. |
| 75 | – | Corrente nominale media ITAV, A. |
| PD | – | Fase gamba. |
| 2200 | – | Tensione inversa, V. |
| TB | – | Tipo di pacchetto. |
Dimensioni del modulo MCNA75PD2200TB e Sostituzione ASMCD26-08-IO1B:
TO-240AA-1B
Semiconduttori ad alta potenza di AS ENERGI
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Geografia della partnership
L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.
Logistica e consegna
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AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.
I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
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