Modulo diodo raddrizzatore di potenza AMKD 81-20 H4 (81A 2000V)
| Corrente media di andata, IFAV (Tcase) | 82A (85ºC) 80A (87ºC) |
| Tensione, VRRM | 2000V |
| Circuito | ![]() |
| AMKD 81-20 H4 | on request |
| Peso | 95 g |
| Pacchetto, dimensioni L×B×H | Package 1 93x20x30 |
| Scheda tecnica |
Modulo diodo raddrizzatore AMKD 81-20 H4 AS ENERGITM in una pacchetto standard internazionale, 81A 2000V.
I moduli a diodi sono caratterizzati da un'elevata capacità di cicli elettrici e termici, il che significa alta affidabilità e lunga durata in modalità di funzionamento intensivo. I moduli a diodi sono alloggiati in una custodia standard del settore che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti.
I terminali principali (di alimentazione) si trovano sulla parte superiore dell'involucro e sono contrassegnati come 1, 2, 3 (anodo-catodo comune, catodo, anodo).
I moduli a doppio diodo della serie AMKD sono utilizzati in varie apparecchiature di potenza: unità di potenza e controllo, regolatori di potenza, regolatori CA, controllo di motori CC, avviatori graduali di motori CA, convertitori, controllori di altiforni o di processi chimici, apparecchiature di saldatura e come raddrizzatori per convertitori CA.
I nostri moduli sono disponibili in diverse topologie a doppio e singolo dispositivo per quasi tutte le applicazioni di controllo di fase o raddrizzatore.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli diodi raddrizzatori di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli diodi, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Il prezzo finale dei moduli di diodi raddrizzatori dipende dalla classe, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.
Specifiche generali del modulo diodo raddrizzatore AMKD 81-20 H4:
| Specifiche del modulo a diodi | AMKD 81-20 H4 | |
| Corrente di avanzamento media massima consentita (temperatura di esercizio) | IFAV (Tcase) | 82 A (85ºC) 80 A (87ºC) |
| Tensione inversa pulsata ripetitiva | VRRM | 2000 V |
| Corrente di sovracorrente allo stato attivo | IFSM | 1750 A |
| Fattore di sicurezza | I2t | 15 kA2·s |
| Tensione di soglia | V(TO) | 0.85 V |
| Resistenza alla pendenza in stato di riposo | rT | 1.8 mΩ |
| Temperatura di giunzione | Tvj max | 125 ºC |
| Resistenza termica, dalla giunzione all'involucro | Rth(j-c) | 0.40 ºC/W |
| Design (interruttori) | - | doppio componente |
| Tipo (schema elettrico) | - | diodo-diodo |
| Peso | W | 95 g |
| Pacchetto, dimensioni mm | L×B×H | Package 1 93x20x30 |
| Scheda tecnica | ||
Guida alla numerazione dei componenti per i moduli di diodi raddrizzatori AMKD:
| A | M | KD | 81 | – | 20 | H4 |
| A | – | |
| M | – | Tipo di semiconduttore: Modulo. |
| KD | – | Topologia del collegamento interno: Diodo-Diodo. |
| 81 | – | Corrente nominale (ITAV), A. |
| 20 | – | Classe di tensione (VRRM/100). |
| H4 | – | Opzione, se applicabile, H4 sta per Visol = 4800 V. H1 sta per Visol = 3600 V. |
Possibili alternative, sostituzioni, prodotti analoghi ed equivalenti:
Elenco delle serie di moduli a diodi di potenza con parametri e dimensioni simili.
| Serie | IFAV (Tcase) | VRRM | Topologia | Dimensioni, mm | Pacchetto | Scheda dati |
| AMKD 81-20 H4 | 82 A (85ºC) 80 A (87ºC) |
2000 V | diodo-diodo | 93x20x30 | 1 | |
| SKKD 81/20 H4 | 82 A (85ºC) 80 A (87ºC) |
2000 V | diodo-diodo | 93x20x30 | 1 |
Dimensioni del modulo diodo raddrizzatore AMKD 81-20 H4:
Schema del circuito dei moduli a diodi raddrizzatori AMKD:
|
1 (АК), 2 (К), 3 (А) – terminali principali (alimentazione). |
Modulo diodo AMKD 81-20 H4 scheda tecnica:
Scarica il scheda tecnica per il modulo diodo raddrizzatore AMKD 81-20 H4
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AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
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I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
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