Diodo a Recupero Veloce per GTO R72F-16-50CS Sostituzione Powerex
| Numero di parte Powerex | R72F-16-50CS |
| Corrente media in avanti, IF(AV)M (TC) | 500A (75ºC) |
| Tensione, VRRM | 1600V |
| Pacchetto
Filo |
R72 58.5x34x26.9 |
| Scheda tecnica | |
| Sostituzione AS ENERGITM | ADD-R72F-16-50CS |
| Aggiungi al carrello | on request |
Diodo a Recupero Veloce per GTO ADD-R72F-16-50CS AS ENERGITM è un dispositivo a semiconduttore sostitutivo, analogo, alternativo ed equivalente per il diodo a recupero veloce R72F-16-50CS Powerex. Corrente media di andata IFAV – 500 ampere, tensione inversa di picco ripetitiva VRRM – 1600V.
Caratteristiche dei Diodi a Recupero Veloce: ottimizzati per la frequenza di linea; alta capacità di sovracorrente; bassa carica di recupero; basso tempo di recupero inverso; alta velocità di commutazione; alta tensione inversa e alta capacità di gestione della corrente. La peculiarità dei diodi è il loro recupero veloce (breve tempo di recupero inverso) trr e una piccola carica di recupero) e l'applicazione ad alte frequenze. I diodi hanno un'elevata capacità di trasporto della corrente alle alte frequenze. Le loro applicazioni principali sono i convertitori e gli inverter DC-DC, il riscaldamento a induzione, i raddrizzatori ad alta frequenza e gli alimentatori switching. Sono disponibili su ordinazione anche dissipatori ad aria e ad acqua per il raffreddamento dei diodi.
"Dissipatori di calore raffreddati ad aria serie O per utensili imbullonati" Sono disponibili anche kit di raffreddamento a tiristori.
Diodi Raddrizzatori AS ENERGITM hanno le seguenti caratteristiche: alloggiamento standard del settore; basse perdite statiche e dinamiche, elevati valori di VRRM/VRSM, vasta esperienza nell'utilizzo dei dispositivi in vari settori industriali, gamma di tensioni da 1600 a 9000 V e amperaggi da 500 a 7500 A, elevata resistenza ai cicli termici ed elettrici.
Le specifiche tecniche e i parametri di R72F-16-50CS e del sostituto ADD-R72F-16-50CS, la scheda tecnica in PDF, il disegno di massima e le dimensioni sono elencati di seguito.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i diodi a recupero veloce di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei diodi, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Il prezzo finale dei diodi a recupero veloce dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal Paese di origine e dalla forma di pagamento.
Caratteristiche generali del Diodo a Recupero Veloce per GTO Powerex e Sostituzione:
| Specifiche del diodo | R72F-16-50CS | |
| Corrente di avanzamento media max. consentita (temperatura di caso) | IF(AV)M (TC) | 500 A (75ºC) |
| Tensione di blocco inversa di picco massima ripetitiva | VRRM | 1600 V |
| Correnti inverse di picco ripetitive, max | IRRM | 30 mA |
| Picco di corrente in avanti | IFSM | 9.5 kA |
| Fattore di sicurezza | I2t | 450 kA2·s |
| Tensione di soglia | VF(T0) | 1.05 V |
| Resistenza dinamica in avanti | rT | 0.50 mΩ |
| Corrente di picco allo stato attivo | IFM | 1000 A |
| Tasso critico di aumento della corrente di on-state | di/dt | 30 A/µs |
| Tempo di recupero inverso | trr | 3 µs |
| Resistenza termica, dalla giunzione all'involucro | Rth(j-c) | 0.055 °C/W |
| Temperatura | Tj | -40 to 125 ºC |
| Coppia di serraggio | Ms | 8.9 to 11 kN |
| Pacchetto (alloggiamento) | tipo | R72 |
| Filo | Ød | 58.5x34x26.9 |
| Sostituzione AS ENERGITM | tipo | ADD-R72F-16-50CS |
| Scheda tecnica | ||
Guida alla numerazione dei pezzi per il Diodo a Recupero Veloce per GTO ADD-R72F-16-50CS:
| A | DS | – | 72 | F | 16 | – | 50 | CS |
| A | – | |||||||||||||||||||||||||||
| DS | – | Gruppo di prodotti: Perno a Diodi . | ||||||||||||||||||||||||||
| 72 | – | Tipo di caso. | ||||||||||||||||||||||||||
| F | – | 2: Diodo a recupero rapido (per la polarità standard dello stallone: catodo verso la base); 3: Diodo a recupero rapido (per inversione di polarità dello stallone: dall'anodo alla base); S: Diodo GTO Snubber (per perno polarità standard: catodo verso la base); R: Diodo GTO Snubber (per inversione di polarità dello spinotto: anodo verso base); F: Diodo ruota libera GTO (per perno polarità standard: catodo verso la base); E: Diodo ruota libera GTO (per inversione di polarità dello spinotto: anodo verso la base). |
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| 16 | – | Classe di tensione VRRM / 500. | ||||||||||||||||||||||||||
| 50 | – | Corrente media in stato aperto IF(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||
| CS | – | Tempo di recupero inverso:
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| + | – | Diodo vecchia versione. |
Dimensioni del Diodo a Recupero Veloce per GTO R72F-16-50CS e Sostituzione ADD-R72F-16-50CS:
Semiconduttori ad alta potenza AS ENERGITM
La nostra azienda è impegnata nella produzione e nella vendita di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza (moduli a tiristori, moduli, diodi raddrizzatori, diodi di saldatura e di rotore, triac ecc.) con correnti fino a 15000A e tensioni fino a 9000V, nonché dissipatori ad aria e ad acqua. È possibile acquistare semiconduttori in qualsiasi volume e, ordinando grandi lotti, il prezzo sarà più basso.
Abbiamo guadagnato la fiducia dei clienti e forniamo prodotti in tutto il mondo.
Per domande relative all'acquisizione di SCR Moduli di potenza, Tiristori, Diodi,
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Siamo aperti a fabbricare prodotti presso i nostri impianti di produzione
in base alle vostre richieste e compiti tecnici.
Dissipatori di calore per diodi di potenza:
I dissipatori di calore (radiatori) sono utilizzati per il raffreddamento dei dispositivi a semiconduttore di potenza nella progettazione dei perni.
I dissipatori di calore dei raffreddatori sono realizzati con profili di alluminio per radiatori e non richiedono un ulteriore rivestimento protettivo quando vengono utilizzati in diverse condizioni climatiche.
Per ulteriori informazioni sui dissipatori di calore: "Dissipatori raffreddati ad aria per dispositivi a perno".
Raccomandazioni per l'installazione dei diodi raddrizzatori di potenza a perno:
L'affidabilità del trasferimento di calore e del contatto elettrico tra le superfici di accoppiamento del diodo e del raffreddatore per l'intero intervallo di temperatura è garantita da una coppia appropriata.
Prima del montaggio è necessario eseguire un'ispezione visiva (1) delle superfici di contatto per danni meccanici e asciugarle (2) con alcol (toluene, benzina, acetone).
Per migliorare i parametri di trasferimento del calore si raccomanda di applicare (3) uno strato sottile di pasta termoconduttiva al silicone prima dell'assemblaggio, che non è una condizione obbligatoria per l'installazione.
Dopo l'installazione, gli elementi di fissaggio (dadi e rondelle) devono essere ulteriormente protetti dalla corrosione.
Consigli e raccomandazioni per i diodi di potenza:
I diodi di potenza non dovrebbero funzionare per lunghi periodi di tempo al loro carico limite per tutti i parametri. In questo caso, il fattore di sicurezza è determinato dal grado di affidabilità richiesto del dispositivo.
Sostituire un diodo di potenza guasto con un diodo che corrisponda ai parametri di quello da sostituire.
Il superraffreddamento deve essere assicurato quando si opera in un ambiente con una temperatura ambiente elevata.
Per garantire una corretta dissipazione del calore, si consiglia di pulire periodicamente i diodi di potenza e i raffreddatori per rimuovere polvere e contaminanti.
Per equalizzare le correnti tra i diodi di potenza collegati in parallelo, si devono utilizzare divisori di corrente induttivi (spesso fili toroidali intrecciati). I metodi di collegamento più diffusi sono il circuito chiuso, il circuito a bobina comune o il diodo di potenza. L'efficienza dei divisori di corrente in questo caso è determinata dalla sezione del filo magnetico.
La prevenzione dello sbilanciamento della tensione quando i diodi di potenza sono collegati in serie si ottiene utilizzando resistenze shunt collegate in parallelo a ciascun diodo. L'equalizzazione della tensione in condizioni transitorie si ottiene collegando condensatori in parallelo a ciascun diodo.
È severamente vietato toccare i diodi di potenza sotto alta tensione durante il funzionamento.
Perché scegliere AS ENERGITM
- Impianti di produzione propri, compresa la produzione di chip di silicio per semiconduttori
- Marchio Europeo - 100% di qualità, prezzo favorevole, termini di produzione brevi
- Oltre 20 anni di esperienza nel settore dei semiconduttori
- Clienti di oltre 50 paesi si affidano a noi
- 20000 articoli nella linea di prodotti per correnti da 10A a 15000A, tensioni da 100V a 9000V
- Produciamo analoghi di prodotti di altri produttori
- Qualità certificata garantita, periodo di garanzia di funzionamento - 2 anni
Garanzia di qualità
I nostri prodotti sono certificati e corrispondono agli standard internazionali.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i prodotti di 2 anni.
Forniamo certificati di conformità, rapporti di affidabilità, schede tecniche e passaporti tecnici su richiesta del cliente.
Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.
Geografia della partnership
L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.
Logistica e consegna
Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
I prodotti possono essere consegnati con qualsiasi mezzo di trasporto: aereo, marittimo, ferroviario e stradale.
AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.
I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
Prodotti in evidenza:

Ucraina (UA)
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Francia (FR)
Giappone (JP)
Corea del Sud (KR)






























