Global
(EN)
Ucraina (UA)
Germania (DE)
Italia (IT)
India (EN)
Turchia (TR)
Francia (FR)
Giappone (JP)
Corea del Sud (KR)
AS ENERGIDiodo a Recupero Veloce VS-SD203N12S15PV, Tipo Perno, Sostituzione Vishay
| Numero di parte Vishay | VS-SD203N12S15PV |
| Corrente media di andata, IF(AV)M (TC) | 200A (85ºC) |
| Tensione, VRRM | 1200 V |
| Filetto per prigionieri | 3/4"-16UNF-2A |
| Scheda tecnica |  |
| Sostituzione AS ENERGITM | ASDS203N12S15PV |
| Aggiungi al carrello | on request
+
–
|
Diodo a Recupero Veloce ASDS203N12S15PV AS ENERGITM nella progettazione degli stalloni, è un dispositivo a semiconduttore sostitutivo, analogico, alternativo ed equivalente per il diodo a recupero rapido VS-SD203N12S15PV Vishay Semiconductors.
Corrente media di andata IFAV – 200 ampere, tensione inversa di picco ripetitiva VRRM – 1200V. "Dissipatori raffreddati ad aria serie O per dispositivi a perno" per il raffreddamento dei diodi sono disponibili su ordinazione.
Per il raffreddamento dei diodi vengono utilizzati dissipatori ad aria e ad acqua. Per garantire un contatto termico ed elettrico affidabile con il dissipatore una coppia di serraggio Md devono essere rispettati durante l'assemblaggio. Per una migliore dissipazione del calore del diodo durante l'assemblaggio, si utilizza una pasta termoconduttiva (si tratta di una raccomandazione e non di un prerequisito per l'installazione).
Caratteristiche: ottimizzato per la frequenza di linea; basse perdite di stato; basso tempo di recupero inverso; alta velocità di commutazione; alta tensione inversa e capacità di gestione della corrente.
I diodi a recupero rapido convertono correnti CC e CA fino a 200A in circuiti con tensioni fino a 2500V. Le loro applicazioni principali sono i convertitori e gli inverter DC-DC, i raddrizzatori ad alta frequenza e gli alimentatori switching.
La peculiarità dei diodi è il loro rapido recupero (breve tempo di recupero inverso trr e piccola carica di recupero) e l'applicazione ad alte frequenze. I diodi hanno un'elevata capacità di trasporto di corrente alle alte frequenze.
Diodi a Recupero Veloce AS ENERGITM hanno le seguenti caratteristiche: alloggiamento standard del settore; basse perdite statiche e dinamiche, elevati valori di VRRM/VRSM, ampia esperienza nell'utilizzo dei dispositivi in vari settori industriali, gamma di tensioni da 100 a 9000 V e amperaggi da 10 a 15000 A, elevata resistenza ai cicli termici ed elettrici.
Le specifiche tecniche e i parametri di VS-SD203N12S15PV e del sostituto ASDS203N12S15PV, la scheda tecnica in PDF, il disegno di massima e le dimensioni sono elencati di seguito.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i diodi di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei diodi, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i diodi di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei diodi, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Specifiche generali del Diodo a Recupero Veloce (tipo perno) Vishay e Sostituzione:
| Specifiche del diodo | VS-SD203N12S15PV | |
| Corrente di avanzamento media massima consentita (temperatura di esercizio) | IF(AV)M (TC) | 200 A (85ºC) |
| Tensione di blocco inversa di picco ripetitiva massima | VRRM | 1200 V |
| Picco di corrente in avanti | IFSM | 4990 A |
| Tempo di recupero inverso | trr | 1.5 μs |
| Fattore di sicurezza | I2t | 125 kA2·s |
| Tensione di soglia | VF(T0) | 1.47 V |
| Resistenza alla pendenza in avanti | rT | 0.46 mΩ |
| Temperatura della giunzione p-n | Tvj max | 125 ºC |
| Resistenza termica, dalla giunzione all'involucro | Rth(j-c) | 0.008 K/kW |
| Coppia di montaggio, filettature non lubrificate | Md± 10 % | 31 Nm |
| Peso | W | 250 g |
| Pacchetto (alloggiamento) | tipo | DO-9 (DO-205AB) |
| Filetto per prigionieri | Ød | 3/4"-16UNF-2A |
| Sostituzione AS ENERGITM | tipo | ASDS203N12S15PV |
| Scheda tecnica | |
|
Guida alla numerazione seriale (tipo) per i Diodi a Recupero Veloce:
| AS | DS | 20 | 3 | N | 12 | S15 | P | V |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| DS | – | Gruppo di prodotti: Perno a Diodi. |
| 20 | – | Numero di parte essenziale. |
| 3 | – | Recupero veloce. |
| N | – | N = perno polarità normale (catodo verso il perno) R = inversione di polarità dello spinotto (anodo verso lo spinotto). |
| 12 | – | Codice di tensione x 100 = VRRM. |
| S15 | – | trr code . |
| P | – | P = base perno DO-9 (DO-205AB) 3/4" 16UNF-2A M = base perno DO-9 (DO-205AB) M16 x 1.5. |
| V | – | C = alloggiamento in ceramica (oltre 1600 V) V = tenuta vetro-metallo (solo fino a 1600 V). |
Polarità (anodo, catodo) e dimensioni dei diodi a perno:
|
|
Semiconduttori ad alta potenza AS ENERGITM
La nostra azienda è impegnata nella produzione e nella vendita di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza (moduli a tiristori, moduli, diodi raddrizzatori, diodi di saldatura e di rotore, triac ecc.) con correnti fino a 15000A e tensioni fino a 9000V, nonché dissipatori ad aria e ad acqua. È possibile acquistare semiconduttori in qualsiasi volume e, ordinando grandi lotti, il prezzo sarà più basso.
Abbiamo guadagnato la fiducia dei clienti e forniamo prodotti in tutto il mondo.
Per domande relative all'acquisizione di SCR Moduli di potenza, Tiristori, Diodi,
inviare una richiesta via e-mail a:
E noi vi forniamo un offerta commerciale per la consegna.
Per un gran numero, forniremo un prezzo individuale!!!
Siamo aperti a fabbricare prodotti presso i nostri impianti di produzione
in base alle vostre richieste e compiti tecnici.
Dissipatori di calore per diodi di potenza:
I dissipatori di calore (radiatori) sono utilizzati per il raffreddamento dei dispositivi a semiconduttore di potenza nella progettazione degli stalloni.
I dissipatori di calore dei raffreddatori sono realizzati con profili di alluminio per radiatori e non richiedono un ulteriore rivestimento protettivo quando vengono utilizzati in diverse condizioni climatiche.
Per ulteriori informazioni sui dissipatori di calore: "Dissipatori raffreddati ad aria per dispositivi a perno".
Perché scegliere AS ENERGITM
- Impianti di produzione propri, compresa la produzione di chip di silicio per semiconduttori
- Marchio Europeo - 100% di qualità, prezzo favorevole, termini di produzione brevi
- Oltre 20 anni di esperienza nel settore dei semiconduttori
- Clienti di oltre 50 paesi si affidano a noi
- 20000 articoli nella linea di prodotti per correnti da 10A a 15000A, tensioni da 100V a 9000V
- Produciamo analoghi di prodotti di altri produttori
- Qualità certificata garantita, periodo di garanzia di funzionamento - 2 anni
Garanzia di qualità
I nostri prodotti sono certificati e corrispondono agli standard internazionali.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i prodotti di 2 anni.
Forniamo certificati di conformità, rapporti di affidabilità, schede tecniche e passaporti tecnici su richiesta del cliente.
Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.
Geografia della partnership
L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.
Logistica e consegna
Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
I prodotti possono essere consegnati con qualsiasi mezzo di trasporto: aereo, marittimo, ferroviario e stradale.
AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.
I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
Prodotti in evidenza:
