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AS ENERGIDiodo a Recupero Veloce di Alta Potenza E0330MF65F IXYS Westcode Sostituzione
| Numero di parte IXYS Westcode | E0330MF65F |
| Corrente media di andata, IF(AV)M (TC) | 277A (55ºC) |
| Tensione, VRRM | 6500 V |
| Pacchetto, Dimensioni ØDxØdxH | Pacchetto W99 75x59x30 mm |
| Scheda tecnica |  |
| Sostituzione AS ENERGITM | ADDE0330MF65F |
| Aggiungi al carrello | on request
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Diodo a Recupero Veloce ad Alta Potenza ADDE0330MF65F AS ENERGITM è un dispositivo a semiconduttore sostitutivo, analogico, alternativo ed equivalente per il Diodo a Recupero Veloce Sonico ad Alta Potenza (FRD) E0330MF65F IXYS UK Westcode, Littelfuse. Corrente media di andata IFAV – 277 ampere, tensione inversa di picco ripetitiva VRRM – 6500V.
Diodi a Recupero Morbido e ultraveloce disponibili fino a 6,5kV con correnti nominali da 270A a 4200A. Questi diodi incorporano un processo di produzione unico e un controllo della durata per offrire un compromesso leader nella categoria tra perdite di conduzione e di commutazione. L'ampia area operativa sicura li rende ideali come diodi freewheeling per applicazioni IGBT e IGCT senza snubber o per qualsiasi applicazione che richieda un diodo veloce e a bassa perdita. Ad esempio, trazione, azionamenti a media tensione, riscaldamento a induzione e applicazioni di potenza pulsata.
Caratteristiche: prestazioni e affidabilità ai vertici della categoria; ottimizzato per la frequenza di linea; basse perdite di stato; elevata tensione inversa e capacità di gestire correnti elevate, elevata capacità di sovratensione.
"Dissipatori raffreddati ad aria serie O per dispositivi a disco", "Dissipatore ad aria serie SF", "Dissipatore ad acqua serie SS" per il raffreddamento dei diodi sono disponibili su ordinazione.
Diodi Raddrizzatori AS ENERGITM hanno le seguenti caratteristiche: alloggiamento standard del settore; basse perdite statiche e dinamiche, elevati valori di VRRM/VRSM, vasta esperienza nell'utilizzo dei dispositivi in vari settori industriali, gamma di tensioni da 100 a 9000 V e amperaggi da 10 a 15000 A, elevata resistenza ai cicli termici ed elettrici.
Le specifiche tecniche e i parametri di E0330MF65F e della sostituzione ADDE0330MF65F, la scheda tecnica in PDF, il disegno di massima e le dimensioni sono elencati di seguito.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i diodi a Recupero Morbido e ultraveloce ad alta potenza di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei diodi, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Il prezzo finale dei Diodi a Recupero Morbido e veloce ad alta potenza dipende dalla classe di tensione, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.
Specifiche generali del Diodo a Recupero Veloce di Alta Potenza IXYS WESTCODE e Sostituzioni:
| Specifiche del diodo | E0330MF65F | |
| Corrente di avanzamento media massima consentita (temperatura di esercizio) | IF(AV)M (TC) | 277 A (55ºC) |
| Tensione di blocco inversa di picco massima ripetitiva | VRRM | 6500 V |
| Picco di corrente in avanti | IFSM | 2790 A |
| Fattore di sicurezza | I2t | 38.9x103 A2·s |
| Corrente di recupero inversa | Irm | 400 A |
| Tempo di recupero inverso | trr | 1.2 µs |
| Costo recuperato | Qrr | 550 µC |
| Corrente in avanti | IFM | 330 A |
| Velocità critica di aumento della corrente di andata | -diF/dt | 1000 A/µs |
| Tensione di soglia | VT0 | 1.890 V |
| Resistenza alla pendenza | rT | 5.80 mΩ |
| Temperatura della giunzione p-n | Tvj max | 125 ºC |
| Resistenza termica, da giunzione a dissipatore | RthJK | 0.0425 K/W |
| Forza di serraggio | Fm | 12 - 16 kN |
| Peso | W | 0.6 kg |
| Pacchetto (alloggiamento) | tipo | W99 |
| Dimensioni | ØDxØdxH | 75x59x30 mm |
| Sostituzione AS ENERGITM | tipo | ADDE0330MF65F |
| Scheda tecnica | |
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Guida alla numerazione seriale (tipo) per i Diodi a Recupero Veloce ad Alta Potenza:
| A | DDE | 0330 | MF | 65 | F |
| A | – |  AS ENERGITM |
| DDE | – | Gruppo di prodotti: Diodo a disco, Diodo a Recupero Veloce ad Alta Potenza. |
| 0330 | – | Corrente media di andata IF(AV), Amp. |
| MF | – | Tipo di alloggiamento (pacchetto). |
| 65 | – | Classe di tensione VRRM / 100. |
| F | – | Codice fisso, serie di prodotti. |
Dimensioni del Diodo a Recupero Veloce ad Alta Potenza E0330MF65F e Sostituzione ADDE0330MF65F:
Pacchetto W99
Polarità (anodo, catodo) dei diodi a disco del raddrizzatore di potenza:
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Semiconduttori ad Alta Potenza AS ENERGITM
La nostra azienda è impegnata nella produzione e nella vendita di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza (moduli a tiristori, diodi raddrizzatori, diodi a valanga, a rotore e di saldatura, triac ecc.) con correnti fino a 15000A e tensioni fino a 9000V, nonché di dissipatori ad aria e ad acqua.
È possibile acquistare dispositivi a semiconduttore in qualsiasi volume e, ordinando grandi lotti, il prezzo sarà più basso. Abbiamo guadagnato la fiducia dei clienti e forniamo prodotti in tutto il mondo.
Per domande relative all'acquisizione di SCR Moduli di potenza, Tiristori, Diodi,
inviare una richiesta via e-mail a:
E noi vi forniamo un offerta commerciale per la consegna.
Per un gran numero, forniremo un prezzo individuale!!!
Siamo aperti a fabbricare prodotti presso i nostri impianti di produzione
in base alle vostre richieste e compiti tecnici.
Dissipatori di calore per diodi a disco per raddrizzatori di potenza:
I dissipatori di calore (radiatori) sono utilizzati per il raffreddamento su uno o due lati dei dispositivi a semiconduttore di potenza nella progettazione dei dischi.
I dissipatori di calore dei raffreddatori sono realizzati con profili di alluminio per radiatori e non richiedono un ulteriore rivestimento protettivo quando vengono utilizzati in diverse condizioni climatiche.
Sono disponibili su ordinazione anche dissipatori ad aria e ad acqua per il raffreddamento dei diodi raddrizzatori.
Per ulteriori informazioni sui dissipatori di calore: "Dissipatori raffreddati ad aria serie O per dispositivi a disco", "Dissipatore ad aria serie SF", "Dissipatore ad acqua serie SS".
Foto dei Diodi Raddrizzatori:
Perché scegliere AS ENERGITM
- Impianti di produzione propri, compresa la produzione di chip di silicio per semiconduttori
- Marchio Europeo - 100% di qualità, prezzo favorevole, termini di produzione brevi
- Oltre 20 anni di esperienza nel settore dei semiconduttori
- Clienti di oltre 50 paesi si affidano a noi
- 20000 articoli nella linea di prodotti per correnti da 10A a 15000A, tensioni da 100V a 9000V
- Produciamo analoghi di prodotti di altri produttori
- Qualità certificata garantita, periodo di garanzia di funzionamento - 2 anni
Garanzia di qualità
I nostri prodotti sono certificati e corrispondono agli standard internazionali.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i prodotti di 2 anni.
Forniamo certificati di conformità, rapporti di affidabilità, schede tecniche e passaporti tecnici su richiesta del cliente.
Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.
Geografia della partnership
L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.
Logistica e consegna
Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
I prodotti possono essere consegnati con qualsiasi mezzo di trasporto: aereo, marittimo, ferroviario e stradale.
AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.
I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
Prodotti in evidenza:
