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Pavlo GorkunModulo diodo MD3-160-36-F
| Corrente media di andata, ITAV/IFAV | 160A |
| Tensione, VRRM/VDRM | 3000 – 3600V |
| Codice di tensione, VRRM / 100 | 30 – 36 |
| MD3-160-36-F | on request
+
–
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| Peso | 0.35 kg |
| Pacchetto, Dimensioni LxBxH |
F 94x34x30 |
| Scheda tecnica |  |
Modulo diodo raddrizzatore di potenza MD3-160-36-F AS ENERGITM in una pacchetto standard internazionale, 160A 3600V.
Utilizzato per convertire correnti DC e AC fino a 160 ampere, con una frequenza fino a 500 Hz su circuiti con tensioni fino a 3600 volt (36 classe).
I moduli a diodi MD3-160-36-F sono in un pacchetto standard F: dimensioni di base 34x94 mm, altezza dell'alloggiamento - 30 mm, peso - 0.35 kg. Il modulo a due posizioni è una costruzione monolitica di due diodi semiconduttori: tipo diode-diode. Schema di collegamento del modulo MD3-160-36-F – mezzo ponte.
Serie (valori nominali) di moduli a diodi: MD3-160-30-F, MD3-160-32-F, MD3-160-34-F, MD3-160-36-F.
- Terminali principali si trovano nella parte superiore della custodia e sono numerati 1, 2, 3;
L'elevata resistenza ai cicli termici e il funzionamento affidabile dei moduli a diodi a bassa frequenza MD3-160-36-F durante la commutazione di correnti elevate si ottengono grazie alle loro caratteristiche di progettazione e ai parametri stabili di isolamento galvanico.
I moduli a diodi MD3-160-36-F hanno un design a morsetto che consente un facile montaggio e un buon contatto con il raffreddatore per la dissipazione del calore. È possibile montare più moduli su un raffreddatore senza isolamento aggiuntivo, riducendo così in modo significativo le dimensioni complessive del gruppo. Tra il modulo e il dissipatore di calore (dissipatore di calore) si raccomanda di utilizzare un substrato termicamente conduttivo lubrificato con pasta termica.
I moduli a due posizioni hanno schemi di cablaggio diversi (schemi di circuito elettrico): MD3 – mezzo ponte; MD4 – circuito a catodo comune; MD5 – circuito anodico comune.
I nostri moduli sono disponibili in diverse topologie a dispositivo singolo o doppio per quasi tutte le applicazioni di controllo di fase o raddrizzatore.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i moduli a tiristori/diodi di 2 anni dalla data di acquisto. Al momento della fornitura dei moduli a tiristori/diodi, se necessario, forniamo il passaporto tecnico e il certificato di conformità.
Il prezzo finale dei moduli a tiristori/diodi dipende dalla classe, dalla quantità, dai termini di consegna, dal produttore, dal paese di origine e dalla forma di pagamento.
Specifiche generali del modulo diodo-diodo MD3-160-36-F:
| Specifiche del modulo a diodi | MD3-160-36-F | |
| Corrente di avanzamento media massima consentita (temperatura di esercizio) | IF(AV) (TC) | 160 A (98ºC) |
| Tensione inversa pulsata ripetitiva; tensione pulsata ripetitiva in stato chiuso | VRRM/VDRM | 3600 V |
| Corrente di sovracorrente allo stato attivo | IFSM | 4.5 kA |
| Tensione di picco allo stato attivo | VFM | 2 V |
| Corrente di picco allo stato attivo | IFM | 500 A |
| Tensione di soglia | V(TO) | 0.93 V |
| Resistenza alla pendenza in stato di riposo | rT | 2.000 mΩ |
| Temperatura di giunzione | Tj max | 125 ºC |
| Temperatura massima di esercizio dell'involucro | Tc max | 125 ºC |
| Resistenza termica, dalla giunzione all'involucro | Rth(j-c) | 0.1900 ºC/W |
| Resistenza all'isolamento elettrico | VISOL | 3.00 kV |
| Design (interruttori) | - | doppio componente |
| Tipo (schema elettrico) | - | diodo-diodo |
| Schema di collegamento | - | mezzo ponte |
| Peso | W | 0.35 kg |
| Pacchetto | - | F |
| Dimensioni, mm | L×B×H | 94x34x30 mm |
| Scheda tecnica | |
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Guida alla numerazione seriale (tipo) per i moduli diodo-diodo MD3-160-36-F:
| MD | 3 | – | 160 | – | 36 | – | F | – | N |
| MD | – | Modulo diodo,  AS ENERGITM |
| 3 | – | Schema di collegamento: 3 – mezzo ponte; 4 – circuito a catodo comune; 5 – circuito anodico comune. |
| 160 | – | Corrente nominale IF(AV), A. |
| 36 | – | Classe di tensione VRRM / 100 (Nominal voltage – 3600 V). |
| F | – | Tipo di alloggio. |
| N | – | Condizioni ambientali: N – Normal. |
Dimensioni dei moduli diodi di potenza MD3-160-36-F:
Pacchetto F
Schema di collegamento del modulo a diodi MD3-160-36-F:
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1, 2, 3 – terminali principali. |
Perché scegliere AS ENERGITM
- Impianti di produzione propri, compresa la produzione di chip di silicio per semiconduttori
- Marchio Europeo - 100% di qualità, prezzo favorevole, termini di produzione brevi
- Oltre 20 anni di esperienza nel settore dei semiconduttori
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- 20000 articoli nella linea di prodotti per correnti da 10A a 15000A, tensioni da 100V a 9000V
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Garanzia di qualità
I nostri prodotti sono certificati e corrispondono agli standard internazionali.
La nostra azienda fornisce una garanzia di qualità per i prodotti di 2 anni.
Forniamo certificati di conformità, rapporti di affidabilità, schede tecniche e passaporti tecnici su richiesta del cliente.
Ogni prodotto viene testato per i parametri principali e vengono forniti Rapporti di test (Test reports) dei parametri per ogni prodotto.
Geografia della partnership
L'azienda AS ENERGITM produce e fornisce semiconduttori di potenza a più di 50 paesi in tutto il mondo.
Logistica e consegna
Consegniamo i nostri prodotti in tutto il mondo con i servizi delle società di logistica: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
I prodotti possono essere consegnati con qualsiasi mezzo di trasporto: aereo, marittimo, ferroviario e stradale.
AS ENERGITM Produzione di semiconduttori
La nostra gamma di prodotti comprende diodi raddrizzatori, tiristori a controllo di fase con design a disco e a perno, diodi e tiristori a valanga, tiristori a commutazione rapida, ad alta frequenza, a recupero rapido, diodi di saldatura e di rotore, triac, raddrizzatori a ponte, moduli di potenza (tiristore, diodo, tiristore-diodo, IGBT) e dissipatori ad aria e ad acqua.
I diodi raddrizzatori di potenza e i tiristori sono prodotti per correnti da 10A a 15000A e per tensioni da 100V a 9000V.
I moduli a diodi e tiristori di potenza sono prodotti a partire da 25A e fino a 1250A, con una gamma di tensioni compresa tra 400V e 4400V.
La gamma di semiconduttori di potenza comprende anche dispositivi semiconduttori equivalenti, sostitutivi, analogici e alternativi di produttori globali.
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